261

fc

■

R

?Sk

pi

■

nl

|is|

pfe

pij Itcentracji i I war* ,32) będzie

i elektrony z obszaru p), które istnieją E£* w niewielkich ilościach zawsze, jeśli tylko temperatura otoczenia jest różna od zera. Prąd, jaki powstanie w wyniku przemieszczania się nośników mniejszościowych nazywa się prądem unoszenioniowym, ponieważ nośniki są unoszone przez pole elektrostatyczne E'. W stanie równowagi dynamicznej prądy - dyfuzyjny i unoszenia są sobie równe.

Rozkład potencjału w warstwie za-porowej (rys. 5.34) określa równanie Poissona:

X

Rys. 5.34

d²V_ p(x) _TT

l^⁼~~T ^{= Ub}

lergię poao-

gdzie:

U_b - napięcie bariery,

p (x) - rozkład ładunku przestrzennego w warstwie zaporowej,

e przenikalność elektryczna półprzewodnika.

i©

n

mm

Dioda półprzewodnikowa. Wielkość różnicy potencjałów na złączu p-/i jest rzędu 0,1 V i stanowi barierę nie do przebycia dla nośników prądu w temperaturze pokojowej. Warstwa zaporowa stanowi zatem bardzo duży opór dla nośników prądu. Na wartość oporności warstwy zaporowej decydujący wpływ ma zewnętrzne pole elektryczne E. Jeżeli przyłożone z zewnątrz pole elektryczne ma zwrot przeciwny do pola wewnętrznego E' (rys. 5.35), to na złączu będzie działać wypadkowe    -£-►

o I^1	—-
X |
p g!|

pole elektryczne, równe różnicy natężeń obu pól, lecz + o zwrocie pola większego.

Można również operować pojęciami napięcia ze-    _{Ryg g 3g}

wnętrznego U_z i napięcia bariery U_b. Taki kierunek

polaryzacji złącza p-n jak na rysunku 5.35 nazywa się polaryzacją w kierunku przewodzenia. Przy tym kierunku polaryzacji złącza zostaje naruszony rozkład koncentracji nośników większościowych w warstwie zaporowej i wzrasta ich dopływ do warstwy L. Zaburzenie koncentracji rozciąga H po obu stronach złącza, na głębokość drogi dyfuzji, po której przebyciu zachodzi zjawisko rekombinacji nośników. Zmianom koncentracji nośników towarzyszą odpowiednie zmiany natężenia prądu. Natężenie prądu w przy-