265

edny®

f tego jo ukło* :cj« i* łktrodo*

pływu prą u. W tranzystorze typu p-n-p nośnikami prądu są dziury, natomiast w tranzystorze typu n-p-n nośnikami są elektrony.

Polaryzacja złącza emiter—baza (JEB) w kierunku przewodzenia powoduje przepływ nośników większościowych z emitera do bazy. Przyrost ten jest funkcją napięcia U_EB. Grubość bazy jest bardzo mała, więc dochodzące do niej nośniki prądu będą się gromadziły w pobliżu złącza kolektor—baza. Nośniki, które przeszły z emitera do bazy stają się w niej nośnikami mniejszościowymi. Fakt ten (zmiana z większościowych na mniejszościowe) sprawia, że aby mogły one przejść do obwodu kolektora, złącze kolektor--baza musi być spolaryzowane w kierunku zaporowym.

Istnieją trzy powody, dla których baza powinna stanowić bardzo cienką warstwę:

a)    Aby zapewnić dużą wydajność (aby wszystkie opuszczające emiter nośniki dotarły do kolektora).

b)    Aby zmniejszyć do minimum możliwość rekombinacji nośników w obszarze bazy.

I c)Aby zapewnić właściwe działanie ze względu na częstotliwość przenoszenia sygnału (czas przejścia nośnika przez bazę powinien być krótszy od częstotliwości przenoszonego sygnału). Gdy spełnione są te warunki, w obwodzie kolektora płynie prąd, którego natężenie I_c równa się natężeniu prądu emitera I_E pomniejszonemu o minimalny prąd bazy I_B.

Ze względu na to, że minimalne zmiany napięcia U_EB powodują stosunkowo znaczne zmiany natężenia zależność natężenia prądu kolektora Iq jest funkcją złożoną:

I_c = f(I_B,U_CE)    (5.99)

Podobnie jak w triodzie niemożliwe jest zbadanie jednoczesnego wpływu obu zmiennych, tzn. I_B i U_CE na I_c, dlatego praktycznie wykonuje się oddzielnie dwie rodziny charakterystyk statycznych tranzystora w postaci następujących funkcji:

^IC ⁼ f^B \/_C£=const    (5.100)

^JC tfi fPcE )/_B=const    (5.101)

Znajomość charakterystyk statycznych tranzystorów pozwala na wykorzystanie ich do różnego rodzaju układów elektronicznych.

Wzmacniające działanie tranzystora sprowadza się do uwzględnienia stępujących zależności. Oporność złącza emiter—baza (R_EB) jest bardzo ||1| 1 stała, bo złącze jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, Opor-złącza baza-kolektor (R_Bq) jest bardzo duża i również stała, gdyż ligi H spolaryzowane w kierunku zaporowym. Przy założeniu, że są ione warunki, dla których można przyjąć, iż natężenie prądu w obwo-