274 (44)

- 274

Tranzystor bipolarny

Rys. 5.29

Cztery rodziny charakterystyk statycznych w układzie WB

(dla U_EB = 0 prąd I_E > 0 przy U_CB < 0). Jest to zjawisko drugorzędne, pominięte na wykresie, które jednakże wynika wprost z równania (5.52). Można je również w prosty sposób wyjaśnić jakościowo, jeżeli rozpatrzy się wpływ rezystancji rozproszonej bazy r_bb.. Na rysunku 5.30 wykazano, w jaki

N P    N

Rys. 5.30

Ilustracja wyjaśniająca wpływ skończonej rezystancji obszaru bazy (rezystancji rozproszonej bazy rbb') na prąd eraitra przy V eb = 0

sposób prąd I_CB0 płynący w obwodzie B-C wywołuje spadek napięcia na rezystancji r_bb., który z kolei polaryzuje efektywnie złącze E-B' w kierunku przewodzenia i powoduje przepływ pewnego prądu I_E mimo braku zewnętrznego źródła polaryzacji U_EB. Zmiany charakterystyk U_EB (I_E) dla różnych wartości parametru U_CB są spowodowane zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy, nazywa- ¹ nym często zjawiskiem Early'ego^l). To zjawisko znacznie silniej przejawia się

J. M. Early: Effects of spacc-chargo layer widening in junction transistors. Proc. IliE, 1952, Vol. 40, pp. 1401—1406.