337 (29)

- 337

Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego

wzmocnienia mocy, gdyż impedancja wyjściowa jest większa niż impedancja wejściowa. Istnieje więc potrzeba zdefiniowania częstotliwości, powyżej której tranzystor nie wzmacnia mocy.

Pulsacja graniczna co_maX    5.10.1.3

Pulsacja graniczna (o_max jest definiowana jako taka pulsacja, przy której wzmocnienie mocy jest równe jedności (co_max nie zależy od układu włączenia tranzystora). Jeżeli wzmocnienie mocy jest większe od jedności, to tranzystor może pracować w układzie generatora. Dlatego a>_max nazywa się również maksymalną pulsacją generacji tranzystora. Warunkiem uzyskania maksymalnego wzmocnienia mocy jest dopasowanie na wejściu i wyjściu (impedancja źródła sterującego powinna być równa sprzężonej impedancji wejściowej tranzystora, a impedancja obciążenia — sprzężonej impedancji wyjściowej tranzystora). Należy przy tym spełnić warunek stabilności, tj. zneutralizować wpływ' wewnętrznego sprzężenia zwrotnego w tranzystorze przez odpowiedni zewnętrzny obwód bez strat (w przypadku pełnej neutralizacji mówi się, że tranzystor jest zunilateryzowany). Oszacujemy wzmocnienie mocy tranzystora spełniającego te warunki.

W tym celu przedstawmy uproszczony schemat zastępczy tranzystora dla bardzo dużych częstotliwości, w którym będą nas interesowały tylko amplitudy (albo wartości skuteczne) prądów oraz części rzeczywiste admitancji wejściowej i wyjściowej. Taki schemat dla układu WE przedstawiono na iys. 5.70. Przyjęto, że w obwodzie

Rys. 5.70

Uproszczony schemat zastępczy, służący do oszacowania wzmocnienia mocy dla bardzo dużych częstotliwości wejściowym reaktancja pojemnościowa jest pomijalnie mała (oznacza to zwarcie węzłów b', e w schemacie „hybryd -”), a część rzeczywistą admitancji wyjściowej wyznaczono na podstawie spostrzeżenia, że dla a> = co_T, tj. dla |/5(co)| = 1, część rzeczywista i urojona admitancji wyjściowej są sobie równe. Stąd:

Re Y_w). = (o_TCj_c Re Y_we =    -

^rbb'

Moc na wyjściu w stanie dopasowania (połowa prądu ze źródła |/5 (co)|«* płynie przez konduktancję wyjściową, a połowa przez obciążenie)

j.

^wy 4    co_TC_Jc

Moc na wejściu

^ we ⁼ r^b'

22 Przyrządy półprzewodnikowi:...