9 (1356)

młlHItmfflffitilft⁸'MBgŁk.'.Hi.J,L 1 .li.»<il._P»>j ;m 4?ii ai: <:Vi filii ii ;\

młlHItmfflffitilft⁸'MBgŁk.'.Hi.J,L 1 .li.»<il._P»>j ;m 4?ii ai: <:Vi filii ii ;\

i

:

)

Układ taki wykazuje wzmocnienie napięciowe bliskie jedności, a ponadto nie powoduje odwrócenia fazy; często jest nazywany wtórnikiem emiterowym.

Z przedstawionego schematu zastępczego wynika, że wzmocnienie prądowe wyraża się wzorem:

K, = 1 ⁺ P    d-32)

zatem wzmocnienie mocy

K = K„K_t = (1 ♦ P)

(i * m_E

h_n, + (l+W_E

1 ₊ P

(1.33)

Rezystancja wejściowa układu U,

r = ~r = *,i_e ⁺ (P ⁺ 1 )R_e ⁼ (^dla dużych P)

(1.34)

Rezystancja wyjściowa

(1.35)

R + h._u    R_rR_B

-131, gdzie R = —S—

P ⁺ 1    V**

Układ WC charakteryzuje się dużą rezystancją wejściową, a dobierając tranzystor o dużym współczynniku P oraz dużym R_E, jej wartość może być bliska rezystancji układów z tranzystorami polowymi. Rezystancja wyjściowa układu jest mała, co powoduje, że obwód wyjściowy wtórnika jest źródłem napięcia bliskim idealnemu.

W układach złożonych wtórniki są stosowane do separacji poszczególnych stopni wzmacniających, ponadto jako pierwszy stopień ze źródłem sygnału oraz w stop-

niach koń™"^!¹ j«kr> Mr/rnąrrhniyp fpnpy---

Wzmacniacze o dużej impedancji wejściowej. Wymaganie dużej impedancji wejściowej skłoniło konstruktorów do poszukiwania nowych rozwiązań układowych, czego przykładem jest wtórnik emiterowy dwutranzystorowy (rys. 1.15), noszący nazwę układu Darlingtona lub super alfa.

Obciążeniem pierwszego tranzystora jest rezystancja równa (P + 1 )R_E, a zatem rezystancja r_we „widziana” z zacisków: baza tranzystora T, — masa, jest wyrażona wzorem

(1.36)

(1.37)

^rw. - (P ⁺

Analogicznie

(P ♦ l)²

Większa rezystancja wejściowa i mniejsza wyjściowa niż w jednostopniowym układzie WC oraz wzmocnienie napięciowe bliskie jedności czynią ten układ bliskim idealnemu wtórnikowi. Układ powyższy ma jedną wadę. W celu właściwej pracy układu, baza tranzystora musi być polaryzowana określonym napięciem.

Każdy układ polaryzujący bazę bocznikuje wejście wtórnika, zmniejszając jego impedancję wejściową. Efektywna rezystancja wejściowa jest wówczas określona zależnością

c^RB

^rwe ⁺ Ra

, gdzie R_b

(1.38)

Na rys. 1.16 pokazano sposób uniknięcia wpływu rezystancji dzielnika bocznikującego wejście wtórnika i zasilającego bazę tranzystora na impedancję wejściową.

Rys. 1.15. Wtórnik emiterowy w układzie Darlingtona [1]

Rys. 1.16. Wzmacniacz o dużej impedancji wejściowej [1]

W obwodzie bazy znajdują się rezystory R_{, R^, R₂, przy czym pełne napięcie z wyjścia układu jest doprowadzone przez kondensator C o dużej pojemności do punktu A. W ten sposób napięcie wejściowe jest prawie takie samo (nieco większe) jak w punkcie A, a tym samym przez rezystor /?₃ prąd prawie nie płynie. Punkt A dzielnika R_{, R₂ jest jak gdyby odseparowany od bazy tranzystora dla sygnału wzmacnianego. Obwód polaryzujący bazę przedstawia dla sygnału sterującego rezystancję

R.

R„ = -2-    (1.39)

^fl 1 -K_a

gdzie: K_u - wzmocnienie wtórnika.

Ponieważ K_u jest bliskie jedności, zatem R_B jest bardzo duże (rzędu megaotnów). Powoduje to, że wpływ R_g na bocznikowanie wejścia wtórnika jest niewielki. Przez dobór rezystora R_E o odpowiednio dużej rezystancji można osiągnąć bardzo dużą rezystancję wejściową układu, ograniczoną tylko parametrami tranzystora

^wemax ^

_P_

^22e

(1.40)

Istnieje również połączenie układu Darlingtona z układem o zwiększonej rezystancji. W celu realizacji układów o bardzo dużych impedancjach wejściowych stosuje się tranzystory unipolarne.