Rys. 9-1. Tranzystorowe generatory samowzbud-ne w układzie ze wspólnym emiterem: a) ze
sprzężeniem transformatorowym; b) z dzielnikiem pojemnościowym; c) z dzielnikiem indukcyjnym
Działanie generatorów z tranzystorami warstwowymi — podobnie jak działanie generatorów lampowych — oparte jest na zasadzie dodatniego sprzqżcnia zwrotnego. W generatorze tranzystorowym część mocy obwodu wejściowego zostaje ponownie do niego doprowadzona, w wyniku czego powstają oscylacje ciągłe. Sprzężenie zwrotne oparte jest na przekazywaniu mocy, a nie napięcia. Sprzężenie napięciowe jest typowe tylko dla generatorów lampowych.
Poprawna praca tranzystora w generatorze w.cz. (wzmacniaczu w.cz.) zależy od jego częstotliwości granicznej. Jako częstotliwość graniczną
Rys. 9-1. Tranzystorowe generatory samowzbud-ne w układzie ze wspólnym emiterem: a) ze
sprzężeniem transformatorowym; b) z dzielnikiem pojemnościowym; c) z dzielnikiem indukcyjnym
|
T |
& | |
|
[jb = |
d zCbiok i-1 i fsmg. | |
|
t —j-1—-- | ||
przyjmuje się taką częstotliwość, przy której współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora ulega zmniejszeniu o 30% wartości tego współczynnika dla częstotliwości akustycznych. Dodatkowym czynnikiem
wpływającym na pracą tranzystora w zakresie wielkiej częstotliwości jest pojemność kolektora, oraz tzw. zewnętrzna oporność bazy. W dobrym tranzystorze w.cz. obie te wielkości powinny być możliwie małe. Praca generatorów i wzmacniaczy w.cz. poza częstotliwością graniczną tranzystora przebiega ze znacznie zmniejszoną sprawnością i dlatego w nadajnikach krótkofalowych stosuje się takie typy tranzystorów w.cz., aby móc pracować na częstotliwościach mniejszych od /fif.
Schematy generatorów z trzema zasadniczymi rodzajami dzielników sprzężenia zwrotnego uwidocznione są na rys. 9-1. Tranzystor warstwowy pracuje tu (jak zresztą i w układach wzmacniających małej oraz wielkiej częstotliwości nowoczesnych urządzeń tranzystorowych) w układzie ze wspólnym emiterem. Zapewnia to największe wzmocnienie mocy przy stosunkowo dużych i zbliżonych do siebie wartościach oporności wejściowej i wyjściowej.
W układzie wspólnej bazy tranzystor wykazuje bardzo małą oporność wejściową, przy znacznej oporności wyjściowej i zapewnia poprawną pracę w szerszym paśmie częstotliwości niż układ ze wspólnym emiterem. Ostatnio jednak w związku z rozwojem techniki tranzystorowej i pojawieniem się tranzystorów warstwowych o dużej częstotliwości granicznej (tranzystory dyfuzyjne produkcji radzieckiej typu n 401, II 402, n 403 o częstotliwości granicznej 30 MHz, 60 MHz, 120 MHz) stosowanie układów ze wspólną bazą, szczególnie w odniesieniu do wzmacniaczy w.cz., zanika na korzyść układu ze wspólnym emiterem, który łatwiej spełnia warunki obustronnego dopasowania.
W układzie generatora ze sprzężeniem transformatorowym (rys. 9-4a) odwrócenie fazy następuje dzięki odpowiednio włączonemu uzwojeniu LK. Sprzężenie można regulować zmianą wzajemnej odległości miedzy cewkami. Częstotliwość drgań generatora ustalają elementy obwodu drgań LC. W pozostałych układach odpowiednie sprzężenie uzyskuje się przez dobrąnie bądź stosunku pojemności (rys. 9-lb), bądź też odczepu na autotransformatorze (rys. 9-1 c). We wszystkich układach baza tranzystora iest polaryzowana przez dzielnik oporowy Rm, Rbz ustalający odpowiedni punkt pracy tranzystora.
Samowzbudny generator przeciwsobny pracujący w układzie wspólnej bazy (rys. 9-2) daje wprawdzie większą moc użyteczną, lecz wymaga
t=3,5MHz+7MHz
idealnego dobrania pary tranzystorów. Ze względu na znaczny rozrzut parametrów poszczególny cli tranzystorów, nawet tego samego typu, dobór ten nie jest łatwy. Różne przesunięcia fazowe powstające w każdym z tranzystorów powodują zmniejszenie mocy w.cz. często już w zakresie poniżej fer. Generator z rys. 9-2 może dostarczyć przy częstotliwości 3.5 MHz mocy około 80 mW.
169