Eztamm OPT OELŁKJPOf^P^ M | |
■ . 1 | |
Ij^aKlwoki ootoelęjctrioik j |
1 Ś~ Ś |
Ę/f ^ŚljtotufbhCi^at&ińk! ftmirejonołn* ^pfcfttrł pf7g*tjz dpiV6toycft 9-’ perra izolacja gsfwitnlezntt #- ^crnperaWbjOiWt rechmiugłą planarną I - hośaiki«B a formacji jest fonon |
i *-p |lr-2 »-r IM j.^1- - |
1, Sfidauł łlwcrtodowe flk-ekicytdn sta eśar^if ktoetycjmą |
i *i. y. ic,v" idrc |
Cr skwaatpwmat drgania sieci krystałłeznej | |
S - energia zatet? od wektora falowego |
# • • |
»-Wa»ływ«nie lulombBwsfcf* eiektron - dni |
m m'. i |
G - ekscyton cdpawtada a amapatt htiiunku G • występują ekscymny swobodna {związane |
Ifci |
o*__ jMjm.
Smn* ogatf-t^w ».
stasiów* rnuuroisja ćyikc praw jedno zwwsc,«dw RI.
tska w warstwach ograekagac/cij mosjia jKniiirusć Iw zwierciadłach ocbo&ui Ętwitki absorpcji, rozpraazeGW jjgstoić prądu zasilania nic mola priytkrcczyć pr%iu progowej!? [zwierciadło Ri eóarakuuyiu)* «ią WMaa^jUk rwie-ciiidtu F-i
Igmu wystanie inwersja obsadzali n . .... ------4
._____q< rrzonatora lasera to tŁoeu/utk;
■ mocy optycznej do mocy zasiJacia
■ gęstości mocy optycznej de prądu za- tiąjąiB
- energii inoóu emitowanego do sumy sani w teiotmoru
■ częstotliwości do szerokości połówkowej emitowanego światła
■ sprawności kwantowej zewnętrznej do wewnętrznej
• iloczyn crektywności wstrzykiwania i pradupfpgowcfro i
p• DFB- dkhibjft■£ r<to , [pjł* * 10^
11
■ Laser szernkokon taktowy;
• duże prawdopodobieństwo wypalania dziur w widmie emisyjnym
• ma indukowany rezonator
■ ma ograniczony rozpływ prądu w obszarze czynnym
• większy wpływ temperatury aa charakterystykę emisyjną
■ mniejsze migotaniem w stosunku do lasera paskowego
• większe gęstość mocy
3. Charaioervstvid onwcgne ciała stałego to; C-saźkswit prtee&wyt fotonów «. całym zakresie widma i d • generacja •-współczynnik absorpcji i 3- rczfclad fotonów Phsncka
•-odbicie
I (j- rjąetcwpue nośnika* przez bariera-w SQW___
4. Mecbaatraiy ateooncli : •*- absespda -fononowe i 3 - absorrja na domieszkach SR-1 absorpcja siskatinawa
i 3 - aesorreja międzypasmown O - ebaorpejs aa swobodnych nośnikach • O-krawędź absorpcji
5. Łatnćn to:
| -3 - temperatura barkowa ciała doskonale czarnego i 3 r wskaźnik wydajności światła emitera |0- jednostka strumienia świetlnego 13 - jednostka mocy promieniowania 13 * gęstość promieniowania światła w danym kierunku i O 5 jednostka natężenia śwfatia ..
i 4 Graftcfć krytyczna warstwy epitaksjalnej:
J.B; gnisoif obszaru przejściowego het-rozłącza-' ip ■ maksymalna grubość podłoża do epitaksji i-5 r grubość warstwy buforowej * I tntósyaslha grttBbść warstwy w pełni naprężonej 1G - i^inntmlaa groóośd warstwy zrelaksowanej 3- ąnłboyi^tezru czynnego emitera__ .• .4 -.^jitak^alt wiwlri jonow-j i S£.«$&8fcś}* 'i& pomocą wiązfósomowej ■ Sanspor; as pomocą wiązki motefeaarnei SOU epkaksjt z* udziałem plazmy *■- cpksks}* z roztworu ciekłego H • Jtfj^&.!i:ocja' w fftaę;gB2tjwej wiomu ^reieszKfiWB nig dewkrwa. aWjąjptorowi eomatr.; optyki smitem oztonw wnrzytu wanta ełewronów netknAci rakomfeinacji aieproaiunni$oa oczynu koftceasieji eiatóranów itteiwr
f*Słkcjęj pradu cłoSCOflO W<a<-' irfyiŻU MMjtOT . Zwierciadło DBR to:
I zwierciadło bragowskie zwierciadło w rezonatorze Febry-Petw*a zwierciadło lasera VCSEL zwierciadło z rozłożonym sprzężeniem hrago .-slota zwierciadło z pofałdowanym obszarem zwierciadło w laserze paskowym
Pttektonr promieniowaniu - wvffl8ggajaj
duże napięcie zasilania
liniowość charakterystyki czułości widmowej
mała czułość AAV
mały prąd ciemny
duży prąd nasycenia
mała pojemność dęta która