DSC02338 (4)

Twi>.'V'Ioi >11.1 my końcówki przyłączone >k» warstw półprzewodnika, nu/y emiter (lik

-    Nim (BV kolektor (O.

Sposób polaryzacji tych złąc/y określa konfigurację pracy tranzystora Międzyf siwą emitera t karą powMąjc złącze cmiter-buza (inaczej złącze emitera), I N»/ą a kolektorem złącze kolektor-ba/u (inaczej złącze kolektora). W Ma: inalncj pmo\ (w zmacnianie) złącze entiter-buza musi być spolaryzowane w kf ku przewodzenia, a złącze kolektor-baz.n w kierunku zaporowym. 7. prakly punktu widzenia istotne są jeszcze stany:

-    wyłączenie tranzystora (stan zatkania): złącza emitera i kolektora,są spoi wanc w kierunku zaporowym,

-    włączenie (nasycenie): obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewc Tranzystor połowy, tranzystor unipolarny (FET — Field Ęffect TfansiĄ elementem wzmacniającym, w którym sterowanie przepływającym prądem się za pomocą pola elektrycznego. Jest to element trójkortcówkowy z elekt źródła (S od angielskiej nazwy sówce), drenu (D — dralri) i bramki (G - ud Natężenie prądu płynącego między źródłem a drenem jest regulowane (ste napięciem podawanym na bramkę względem źródła.

W tranzystorach polowych prąd bramki praktycznie nie płynie (jest rzędu ml nanoampetów). dzięki temu elementy te charakteryzują się bardzo dużą ret^p wejściową. Rozróżnia się dwa rodzaje tranzystorów polowych:

1.    Złączowe (JFET. Junction FET) - regulacja prądu źródło-dren następuje zmian grubości warstwy przejściowej złącza spolaryzowanego zaporowa^ Rozróżnia się tranzystory ze złączem:

—    p-n (PN FET).

-    metal-półprzewodnik (MEta l-Semiconductnr FET, MUS FET).

2.    Z izolowaną bramką (1GFET. Insulated (Jatę FET) - bramka jest odizot od kanału wutsiwą dwutlenku krzemu. Tranzystory le określa się inoęS MISf-TT iMrtal-huulator-Semlconductor FET), częściej MOSFET | •Oxitle-Hemwaiidiu tar FET) lub krócej MOS. Ze względu na rodzaj kanąhj" zysłory MOS dzieli się na:

- tranzystory z kanałem zubożanym, w których przy braku napięcia brti dlo jc*i kanał łączący źródło z drenem (tranzystory z. kanałem wbudo

T

B

4

J

U* ► U, > U,¹

liys. 1.23. Symbole tranzystorów npn I pop oraz przykłady ich polaryzacji w zakresie aktywnym noimalnej pracy

JFETN

Rys. 1.24. Syitf

tranzystorów 3FET

MOSFCTN

MOSFFT-PI

MOSFETP

- s 'l i -UOlfPI-NI

Mz
MOtrćl-KZ	MOSFTT-m	M06FETN4
=©:
MOSFET-P2	MOSFF.T-P3	MOSFET-P4

Ryt. 1.25, Symbole tranzystorów M0SFE7

- tranzystory z kanałem wzbogacanym, w których przy braku napięcia bramka--żródlo nie ma kanału łączącego /rńdlo / drenem (kanał jest indukowany polem elektrycznym, gdy wartuj napięcia /ródło-bramka przekroczy określone napięcie progowe).

Ze względu na rodzaj półprzewodnika (p lubktóry tworzy kanał, rozróżnia się tmnzysłory z kanałem typu P lub kanałem typu N

Układy scalone

Układ scalony (Integralni Circuii) jest zminiaturyzowanym układem elektronicznym, w którym wszystkie elementy wraz / ich połączeniami są wytworzone w jednym cyklu technologicznym wewnątrz lub nu powierzchni wspólnego podłoża, zamkniętym w hermetycznej obudowie (metalowej, ceramicznej lub wykonanej z tworzywa sztucznego).

Fot. 1.26. Wygląd układów scalonych w popularnych obudowach