DSCF0771

DSCF0771



146


4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

Diody mocy

Do konstrukcji diod wykorzystywanych do przełączania większych mocy stosowane są diody krzemowe o dużej powierzchni złącza PN (rys. 1). Materiał półprzewodnikowy ma kształt pastylki mocowanej zwykle warstwą N do obudowy metalowej dobrze przewodzącej ciepło. Obudowa ta może być mocowana dodatkowo na zewnętrznym użebrowanym radiatorze. Pozwala to na uzyskanie niskiej, a więc korzystnej, wartości współczynnika wyrażającego stosunek przyrostu temperatury złącza do wartości przyrostu mocy traconej w diodzie i wywołującej ten przyrost temperatury. Wartość prądu przewodzenia diod mocy można jeszcze bardziej zwiększyć przez zastosowanie wymuszonego chłodzenia zewnętrznego, np. przy użyciu wentylatora.

Zastosowanie wymuszonego chłodzenia zewnętrznego pozwala na zwiększenie prądu pracy diody do wartości przekraczającej nawet trzykrotnie wartość jej prądu znamionowego. Dopuszczalne temperatury graniczne diod krzemowych zawierają się w granicach 140-190°C. Wartości napięć progowych krzemowych diod mocy wahają się w granicach 0,8-1,0 V. Dostępne są diody krzemowe o znamionowych napięciach wstecznych do 4 kV i znamionowych prądów przewodzenia do wartości 4 kA.

Obudowy diod i ich oznakowanie

Do konstrukcji obudów diod stosowane są tworzywa

sztuczne, szkło oraz metale (tab. 1).


pastylka krzemowa

Rys. 1. Poglądowy rysunek konstrukcyjny krzemowej diody mocy


Tab. 1. Przykłady wykonań obudów i oznaczenia diod półprzewodnikowych

Rysunek obudowy odpowiadający wymiarowo przybliżonej wielkości rzeczywistej diody


Oznakowane


katoda


r===9HB&3=


katoda


Katoda diody jest wskazywana przez barwną obwódkę.

Pozostałe barwne oznakowania diody zaczynają się bezpośrednio po oznakowaniu katody.

Katoda diody jest wyróżniona punktem lub wypukłością na obudowie.

W większości diod w obudowie metalowe} katoda jest połączona elektrycznie z obudową. Jeśli jest inaczej, to na obudowie diody znajduje się symbol diody wskazujący jednoznacznie położenie katody.


O typie zastosowanej obudowy decyduje moc znamionowa i przeznaczenie diody. Katoda diody zwykle jest oznaczana w charakterystyczny sposób na obudowie diody (tab. 1). Spotykane są również zespoły diod występujących w jednej obudowie. Typowym przykładem są prostownicze mostki diodowe Graetza zawierające cztery diody. Do celów przełączania lub zabezpieczeń przepięciowych układów zespoły diod montowane są również w obudowy liczące nawet do kilkunastu elementów.


4.Z.2.2 Diody Zenera i Schottky’ego

Diody Zenera

Diody Zenera są wytwarzane z silnie domieszkowanego materiału półprzewodnikowego. Silne domieszkowanie pozwała z jednej strony na uzyskanie niewielkich wartości napięcia przebicia tych diod (napięcia Zenera Uz). z drugiej zaś pozwala na uzyskanie względnie niskiej rezystancji dynamicznej w zakresie przebicia lawinowego. W kierunku przewodzenia diody Zenera mają wtaściwości zbliżone do diod uniwersalnych.

Diody Zenera są polaryzowane w kierunku zaporowym.

W wyniku wzrostu napięcia spolaryzowanej zaporowo diody Zenera wzrasta w niewielkim stopniu jej prąd wsteczny, aż do momentu wystąpienia zjawiska Zenera i zjawiska przebicia lawinowego złącza PN. Wówczas


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0779 154 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Charakterystyka wejściowa
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0785 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0787 (2) 162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 162 4.2 Półprzewodnikowe eleme
DSCF0789 (2) 164 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne pach kanałów sterowanych ze ws
DSCF0791 (2) 166 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne4.2.3.3 Obudowy tranzystorów i

więcej podobnych podstron