DSCN1464 (2)

*z

x

. ■ /cny Oa— irl. * *(»rr:o—») o-d-uy

lokkiora¹'. Po przejściu przez hazę ckkireny de*.*    <*, _wttKv

"Lwej zlicza Hf. w której istnieje salnc pe.le elekrryc/re ^kktrony dalej do obwodu kolektora.

o Oico-

R>s 54. Ro.-płjw fw ttanzyuorae

ku 5.Ja przedstawiono sytuację poc/^lkow*. charak!ciyzuj*e* ⁵": *)''"• ^}e l^cu zachowana urutralno« cleklryvz.ru w każdym obszarze lokalnym ^półprzewodnika. przy czym koncentracja domieszek tiaalcje liniowo w funkcji współrzędnej 1 (szerokości K>zy ) Ponieważ motea przyjąć. te istnieniu kaZdcj dorróc-s/li akceptorowej towarzyszy istnienie jednej dziury, rozkład koncentracji dziur łędzic identyczny z rozkładem leoccntracji domieszki Jednakże wsku-Ir 1 gradientu koncentracji dziur nacljpi ich przepływ dyfuzyjny (Ij. przepływ mijjcy im celu wyrównanie koncentracji) powodujący zachwianie lokalnej neutralności elektrycznej Koncentracja dziur zmniejszy się w lej części półprzewodniki. gdzie byle ich więcej, a zwiększy się um, gdzie było ich mniej. Z jednej strony zatem pozostań; roeskotrpęnscm-anc jony domieszki akceptorowej, z drugiej strony będzie łię gromadzić niesiompensowuny ładunek dodatni dziur które uległy przcmicszc/crito. co przedstawiono na rys. 5.3h.

W

"a *a

X

Rys 55 HeziKja pc~sra«a«j whadrmasepo pola ekluys'znero w pCZprze»»Jr»ł'a nieyrdso lolnym Iba/J lianzystMi dryflowefo) ay uan początkowy, b) ujo rO«rc~ jji ii\rvjn*c/nr,. .V_A - k<Mcrncia;ji djones/ek Aeeptoro-ych. p - iMCtflncjI dzmi. a - izritini.' hazy

Wskutek zachwiania neutralności elcklryczncj. powstanie poke elektryczne przeciwdziałające dalszej dyfuzji i unoszące dziuty w kierunku przeciwnym względem stłumienia dyfuzyjnego. Ostatecznie zostanie osiągnięty stan równowagi dyrutnac/ncj. charakteryzujący się istnieniem wbudowanego pola elektrycznego o wartości zapewniającej równowagę prądów dyfuzji i unoszenia.

Arsalizuj-tc pracę tranzystora na podstassśc pewnej wyidealizowanej jednowymiarowej struktury n-p n. będącej wycinkiem stiuklury rzeczywistej, rozpatrzono rozpływ prądów w tranzystorze (rys. S.-4).

Zltcze tuza emiter (B-E) jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze haza-kolektor (B-C) w- kierunku zaporowym. Przy takiej polaryzacji tranzystor pełni funkcję elementu czynnego, (j. mote służyć do liniossego wzmacniania sygnałów elektrycznych Jest to praca w tzw. obszarze aktywnym.

Wskutek polaryzacji /Jąc/a B-E s»' kierunku przewodzenia z cmilcra do bazy i; wstrzykiwane clrktioiiy. W tuzie istnieje wbudowane pole elektryczne f _ml spowodowane nierównomiernym rozkładem kcnecntracji domieszek I lekttony wstrzyknięte z. cmilcra do luzy m unoszone przez to pole w kicrun-42

Jak wcześniej powiedziano, złącze B-E jest spolaryzowane » kśeturAs przewodzenia. Elektrony w emiterze są nośnikami większościowytri. «sęc swobodnie przechodzą przez złącze spolaryzowane w kierunku pezeweda-u (zltcze B-E). Po znalezieniu się w bazie (półprzewodnik typu p) wstrzyknięte elektrony są nośnikami mniejszościowymi i tu znowu istniej* dla nćh dogodne warunki do dalszego transportowania. W tranzy storze dtyftensym wbudowane pole elektry czne przenosi je w pobliZc z Uczą B-C. Złącze to jest spolaryzowane w- kierunku zaporowym, zatem łatwo transportowane są nośnAi mniejszościowe. a właśnie takimi są owe elektrony, które przebyły drogę Z emitera poprzez bazę do złącza B-C. Stąd złącze B-C natyehir au rozchwytuje elektrony, przenosząc je do obszaru kolektora.

Nic wszystkie jednak elektrony, które zostały wstrzyknięte do bazy przez zł*cze B-E. dotrą do złącza B-C. Cześć z nich rckombinujc w biiae Oytek dztur spowodowany rekombinacja musi być uzupełniany przez doęły* nofeu-kó'w do bazy. Zatem, z zewnętrznego obwodu bazy dopływa pcąd uzupełnia;;

O-"”* ^ '^rln°'^,0‘ *>*^lo'»> Natrz, joSrak r.,eo<    er »»

o.e jest warunkiem bonieeroy* do pracy tiacsmtma W twiyum* w    ,^t*?^luł*^w w bazte (<d en tera do U-fckma) edbswj vę    <jf«

px* Wbcdo._wto WTbwa Jtenał. maczaro na    uanasoca

43