generat nap sin006

generat nap sin006



6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki

W generatorach przedstawionych na rysunkach 9.3    9.6 zastosowano tranzystory bipolarne. Można

w nich również wykorzystywać tranzystory unipolarne. Przykład układu generatora Colpittsa z tranzystorem polowym typu JFET przedstawiono na rys. 9.7.

2.4. Generatory drgań sinusoidalnych RC

Czwómiki RC oraz CR umożliwiają przesunięcie fazowe sygnału sinusoidalnego. W przypadku pojedynczego obwodu RC przesunięcie to wynosi:

cp = -arctg(coRC)    (9.21)

W przypadku pojedynczego obwodu CR przesunięcie wynosi natomiast:

cp = arctg


f 1 ^

kcoRC j


(9.22)


Łącząc odpowiednio obwody RC i/lub CR uzyskuje się przesuwniki fazowe zapewniające przesunięcie fazowe. Korzystając z takich przesuwników fazowych można budować generator napięcia sinusoidalnego. Przesuwnik CR przesuwający fazę o kąt 180° należy włączyć w obwód sprzężenia zwrotnego wzmacniacza odwracającego. Całkowity kąt przesunięcia fazowego wyniesie wtedy:

(9.23)


ę = (px + (p2 = 180° + 180° = 360°

z warunek fazy jest spełniony (9.3).

Na rysunku 9.8, przedstawiono natomiast wybrane rozwiązania generatorów przebiegów sinusoidalnych z przesuwnikami RC (rys. 9.8a) i CR (rys. 9.8b).

Częstotliwość generacji generatora z trzema przesuwnikami:

• RC w sprzężeniu zwrotnym wynosi:

(9.24)


_L

2n RC

• CR sprzężeniu zwrotnym wynosi:

a)

fo =


2n J6RC


(9.25)


b)

Rys. 9.8. Schematy generatorów z łańcuchowymi przesuwnikami RC i CR: a) układ z przesuwnikiem łańcuchowym RC ((p2=-180°; b) układ z przesuwnikiem łańcuchowym CR ((p2=+180°)


Generator RC można także zrealizować wykorzystując wzmacniacz operacyjny. Na rysunku 9.9 przedstawiono generator z mostkiem Wiena. Zaletą generatorów mostkowych jest stałość częstotliwości,

Materiały powielane.


Wersja robocza skryptu z AEiUE - Gliwice 2009


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
generat nap niesin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Generowany przebieg charakteryzuje s
generat nap niesin004 4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki tranzystora T jest zbliżone do warto
generat nap niesin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Rys. 10.5. Tranzystorowy przerzutnik
generat nap niesin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki b) Rys. 10.7. Uniwibrator zbudowany
generat nap sin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Wiedząc, że: ii (9.1) U2p(jcj) = f2
generat nap sin004 4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki 2.3. Generatory drgań sinusoidalnych LC
generat nap sin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki sprzężenia zwrotnego. Diody te spełniaj
generat nap niesin010 10 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Układ jest, więc przełączany przy d
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0770 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Efekt Zenera jest wykorzystywany w pra
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys

więcej podobnych podstron