j|^_;_ . ..._____
i ntąnaii nttiUrm (ptorwiMr itilpl*) iI««i»bIJ ______________
ikuroołiiwiąn powstanie stert ktystalnzn) vh.» mai>ni stopniu upakowania (brak wiązań chcmtc/Bych), fil' Hiffli) nwyą /l>\ t nwlii tlriliuiMu v»*ktw\pvth A>utimoaiM wiązańchcmic/nytti. ^rakclektnłnówiwiłbodnjth powoduje cluu«ktci)*t)cri>ą nitprzczroctystoić i phrtycmaić metali,
_ flktwliw tają łatwe udks/tak cnie kivv. ialvi nwtału pod działantem nkwidkteh »ii tnących,
[^^■owMąjc, gdy atomy mąjąpowyn?! 4 elektronów walencyjnych do utworzenia „gazu" elektronowego,
_ Odkatelwwt plulycnit (lnwl>) w metalach, i i) mott byf wynikiem ptamitwMiiIa »ię dyslokacji w Inmttlc.
st wynikiem poili/gu jednorodnego {sztywnego) w rdłul płaszczyzny łatwego poślizgu, ttoJc być wynikiem powstawaniu giuntc bliźniaczych thłitoiakowama), test sumą lokalnych odkształceń spryty atyeh sieci kr) stalmncj wokół jq defektów.
M«lU dyslokacji,......... ..... .
a) jest to praca potrzebna do jednostkowego odkształcenia plastycznego kryształu._
bjjcst to energia odkształcenia sprężystego siacł linii dyslokacji w krysztale._
•jałowo zależy od nalej sprętymdcl materiału O, _______
est sumą energii odkształceń sprężystych wokół defektów punktowych tworzących linię dyslokacji.
Jdi dyslokacji w krysztale metalu, a) jest spowodowany działaniem naprężenia normalnego da płaszczyzny podlizgu, '"^tłumaczy możliwość sprężystego odks/tskunU kryształu wtotału.
Tłumaczy możliwość plastycznego odkształcania kryształu metalu.
spowodowany działaniem naprężenia stycznego na płaszczyźnie poślizgu.
Energia granie szeroko kątowy eh (graak duZego kąta) - puk* arifdzy ziarmaasł lej aaase] fazy.
a) szybko maleje wraz ze wzrostem kąta dczor icnUcji,
1 prawie plr-ynkriną od wiclkołci kąta dc/o<ictU»c|i u wyjątkiem gnoić specjalnych),
ybko rośnie wraz ze wzrostem kąta dezorientacji, ______
niewielka dla szerokokątowych granic hh imaczych,_
c) jest wysoka dla szerokokątowych itranic bliźniąc Zych.
Koherentna granica atłędzyfaznwa granka między ziarnami lóiayeh faz, ^mdatwia uzyskanie wydzieleń fa/y wjjosiaci płytek.
^Peharakteryzuje się wysoką energią ..........
Bteryzuje się bardzo małą energią, aa uzyskanie wydzieleń fa/y tv postaci kulutci (clcroi.lłinct).
_iald powstawania fazy pośrednie), ap. mkdz> metaMczoej w a kładzie dwask ład trikowym Ą-B, ały oddziaływania między atpnuutu jednakowymi aą daydassait większe niż naędzy różnymi,
| b) siły oddziaływania między atomami jednakowymi i różnymi są podobne (iednakowa energia wiązań), oddziaływania między atomami jednakowymi są zdecydowanie mniejsze niż między różnymi.
cór stały podstawowy w układzie dwuskładnikowym A-B charakteryzuje:
a) aeć krystaliczna odnuenna od sieci, w której krystalizują czyste składniki układu czyti A lub B,_
Jfcadłowanic sieci krystalicznej ni/jHtuęułniluk którym mole być tylko składniki A lub B, r^mnkszc/cnie atomów A i 0 w mcci roztworu podstawowego jest nieuporządkowane (przypadkowe), zenie atomów A i H w siect roztworu podstawowego jest uporządkowane (konkretne węzły).
PPpowc n»lavniiifi ro/tworu stakgo podstaw o w eto AjB) łab B(A> w stopach metali, B [~t) zachowa ogolmc własntnkł rozpuszczalnika plus zwykle niewielkie umocnienie roztworowe.
b) krurtsdć spowodowana budowaniem dyslokacji pruci atomy rozpuaczone,________
' c) kruchość spowodowana twor/emcm sic atmosfer Colttelła wokół atomów rozpuszczonych,_
nnm anif*ey idaary z/n-*:i powodowany utrudnieniem ruchu dyslokacji przez atomy rozpuszczone.
— —-----tm/» pośradakj /VeB* w stopach metali (układ dwuskładnikowy A-B).
»mjapói sójsoDki ludmimny od wiasnofct czystych A onti Bk _ spow<od»wana Hsakowuiin fn dyslokacji przez uporządkowane TOgnleszczcnie atomów A i B.
jiwb wnuk ■»») piso,/nu4c< R* powodowanazhstooąucciąotaz uporządkowantematomów, fcpdołnatat da adhaaafcąe pfe—n znych dzięki obecności d)słokacji powstąpyręch przy kry»-ł‘Trrji. Wfcmskt saapa > AJbdztt aątćkh </o> m w sldsilm dw wUsiiiikiwiw A-8
\> » lazw nid^czsrj niąmwersośd pulrcdiue afbj-l/y atoafciiiai dJachoków A i B.____
11 -j—Ł iii ' unśuow ruihw ilidkaji prm aisutce nuydz)fazs>we w tulcbycag tnseazamate iiz.
• siwkęt| / ansksaui ruchu djskd«ji przez zioZonąiMC Cazy wtdtytMh (ińtsse strswis A i H>.
Tl