23842

334

334

_ /o _ /o

(15.2)

Wzmacniacze selektywne w. cz. pracują przy dużych wzmocnieniach i wielkich częstotliwościach, co może prowadzić do wystąpienia pasożytniczych, dodatnich sprzężeń zwrotnych i niestabilności tych wzmacniaczy. Problem ten nabiera szczególnego znaczenia przy dążeniu do maksymalnego wykorzystania zdolności wzmacniających tranzystora, czyli do pracy przy dopasowaniu energetycznym. Dlatego jednym z ważniejszych etapów projektowania wzmacniaczy selektywnych w.cz. jest zapewnienie ich stabilności. Kształt charakterystyki amplitudowej wzmacniacza zależy od tego, z jakich elementów zbudowany jest jego obwód selektywny. Gdy szerokość pasma    jest większa niż około 0,01 /₀, to przy

częstotliwościach /₀ < 0,5 - 1 GHz są stosowane skupione obwody LC, zaś przy większych częstotliwościach - obwody o parametrach rozłożonych. Dużą selektywność we wzmacniaczach o stałej częstotliwości środkowej /„ zapewniają obwody selektywne zbudowane z rezonatorów ceramicznych lub kwarcowych. We wzmacniaczach selektywnych o bardzo wąskich pasmach (    0,001/_(J) stosuje się

filtry kwarcowe (przy f_o<%0MHz) oraz filtry z falą powierzchniową (ang. surface acoustic wave), przy /₀ < 1 GHz.

15.2. OBWODY REZONANSOWE LC

15.2.1. Pojedynczy obwód rezonansowy LC

Obwód rezonansowy pełni rolę układu międzystopniowego lub układu sprzęgającego wzmacniacz z obciążeniem. Pojedynczy obwód rezonansowy składa się z indukcyjności L i pojemności C (rys.15.2a).

Rys. 15.2. Modele obwodu rezonansowego LC:

a)    obwód idealny,

b)    straty skupione w gałęzi indukcyjnej

c)    przybliżony model obwodu stratnego z elementami równoległymi

2