4460

POLITECHNIKA SWIETOKRZYKRZYSKA WYDZIAŁ ELEKTRONIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI _Laboratorium: Podstawy Elektroniki_

Ćwiczenie nr 8

Temat: Badanie tranzystorów polowych złączowych

Grupa: 11 IB

Obliczenia

• konduktancja wzajemna (transkonduktancja)

P(U5V;2,Q7,mA)_;

P,(0,5V;4,05mA);

Pa(l,7V;l_f03mA);

9_m

_ |7_Pj 7_ot| _ A/_d

Mcsa-Ł/cs.! AU™

9,n =

|1,03-4,05|    3,02

[1.7 — 0,5| “ 1.2

= 2,52

• rezystancja drenu (rezystancja wyjściowa)

P(lV;2,07mA);

P3(0.5V;1.27mA);

P₄(3V;2,84mA);

kl

Pos* -u_DSi|

'

k

V V mA Axl0 |3 —0,5|    _ 2,5

= — xl0³ =nxlO^a -k£2 A

|2,84 —1,27|    1,57

= 1,59