Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury, 201paf, Nr ćwiczenia


Nr ćwiczenia

201

Data

17.11.2000

Wydział

Budownictwa, Architektury i Inżynierii Środowiska

Semestr

I

Grupa 13

Nr lab. 3

Przygotowanie

Wykonanie

Ocena

Temat: Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury dla przewodników i półprzewodników.

Prawo Ohma w najogólniejszej postaci stwierdza, że gęstość prądu w dowolnym miejscu materiału przewodzącego jest wprost proporcjonalna do natężenia pola elektrycznego.

j = σE

W powyższym równaniu j oznacza gęstość prądu (stosunek prądu do powierzchni przekroju), natomiast E natężenie pola elektrycznego. Współczynnik proporcjonalności σ nazywamy przewodnictwem elektrycznym. Wartość przewodnictwa określona jest bezpośrednio przez koncentrację i ruchliwość nośników ładunku. Przewodnictwo elektryczne określone jest wzorem :

0x01 graphic

n , p - koncentracje nośników ,

n , p - ruchliwość nośników .

Ponieważ koncentracja i ruchliwość zależą od temperatury i rodzaju materiału , więc przewodnictwo elektryczne także zależy od tych czynników .

O zależności temperaturowej przewodnictwa w metalach decyduje tylko zmniejszanie się ruchliwości wraz ze wzrostem temperatury ( koncentracja nośników - elektronów - jest bardzo duża i nie zależy od temperatury ) . Zależność temperaturową wyraża się poprzez opór (R1/ ) :

0x01 graphic
,

R0 - opór w temperaturze T0 ,

- średni współczynnik temperaturowy oporu

W półprzewodnikach decydujący wpływ na przewodnictwo ma koncentracja nośników. W przypadku półprzewodników samoistnych koncentracja elektronów i dziur jest taka sama i wynosi :

0x01 graphic
,

Eg - szerokość pasma zabronionego .

Natomiast w półprzewodnikach domieszkowych koncentracje określone są poprzez poziomy energetyczne (zależnie od typu półprzewodnika ) Ed - donorowy , Ea - akceptorowy , oraz poprzez temperaturę :

0x01 graphic
.

Uwzględniając powyższe równania otrzymujemy wzór na temperaturową zależność przewodnictwa dla półprzewodników :

0x01 graphic
,

Edom jest jedną z wielkości Ed lub Ea zależnie od typu półprzewodnika .

W odpowiednio niskich temperaturach można zaniedbać w powyższym wzorze pierwszy składnik , natomiast w wysokich temperaturach ( po nasyceniu poziomów domieszkowych ) można zaniedbać składnik drugi . Odpowiednio dla tych dwóch przypadków wzór przyjmie postać :

0x01 graphic
.

Logarytmując jeden z powyższych wzorów otrzymamy zależność :

0x01 graphic

Pomiarów oporu półprzewodnika i przewodnika dokonuje się w różnych temperaturach . Badane materiały umieszczone są w ultratermostacie , a ich opory mierzy się przy pomocy mostka Wheatstone'a.

Z wykresu tej zależności wygodnie jest odczytać zależność przewodnictwa od temperatury

PRZEBIEG ĆWICZENIA

  1. Znaleźć przybliżoną wartość oporów w temperaturze pokojowej.

  2. Włączyć do sieci ultratermostat, dołączyć baterie, galwanometr i oporniki badane do mostka Wheatstone'a.

  3. Ustalić temperaturę 20˚C w ultratermostacie włączając, w zależności od potrzeby, chłodnicę lub grzejnik.

  4. Dokonać pomiaru oporów przewodnika i półprzewodnika.

  5. Zmieniać temperaturę co ok. 5˚C w zakresie 20 - 90˚C i mierzyć opory.

  6. Wykreślić zależność R = f(T) na wspólnym wykresie dla przewodnika i półprzewodnika.

  7. Dla półprzewodnika obliczyć ln (l/R) oraz l/T i sporządzić wykres zależności tych wielkości.

  8. Z nachylenia wykresu obliczyć położenie poziomu domieszkowego. Położenie poziomu domieszkowego wyrazić w elektronowoltach.

TABELA POMIARÓW

l.p.

T [˚C]

Opór przewodnika [Ω]

Opór półprzewodnika [Ω]

1

30

1100

220

2

35

1342

180

3

40

1590

140

4

45

1606

110

5

50

1403

83

6

55

1316

71

7

60

1290

150

0x08 graphic

OBLICZENIA

(tylko dla półprzewodnika)

L.p.

T

[C]

1/T

[1/C]

R

[]

1/R

[1/]

ln(1/R)

1

30

0,033

220

0,004545

-5,393628

2

35

0,029

180

0,005556

-5,192957

3

40

0.025

140

0,007143

-4,941642

4

45

0,022

110

0,009091

-4,70048

5

50

0,020

83

0,012048

-4,418841

6

55

0,018

71

0,014085

-4,26268

7

60

0,017

150

0,006667

-5,010635

0x08 graphic
Pomiar nr 7 odrzuciłem. Jest to błąd gruby.

Współczynnik nachylenia prostej ln(1/R)=f(1/T) obliczony programem p. Szuby wynosi:

a = -52,96

Poziom domieszkowy będzie zatem równy:

a = 0x01 graphic

E = 0x01 graphic
k - stała Boltzmanna

E = 0x01 graphic
1,462397190x01 graphic
J

1J = 0x01 graphic

E = 0,012307489 eV

Błąd pomiaru rezystancji mostkiem Wheatstone'a : R=0.1

Błąd pomiaru temperatury : T=0.5C

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury, AGA, Nr ćw.
Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury, F LAB201, Nr ćw.
Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury, FIZA201 , Laboratoriu z fizyki
Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury, 201z, Laboratoriu z fizyki
201 Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury dla półprzewodników i przewodników
Sprawozdanie 1 Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury dla półprzewodników i p
Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury dla półprzewodników sprawko
spraw, LAB 44, Wyznaczenie zależności rezystancji od temperatury dla metalu i półprzewodnika
spraw, CW44, Wyznaczenie zależności rezystancji od temperatury dla metalu i półprzewodnika
201 3, Wyznaczanie zale˙no˙ci przewodnictwa od temperatury
spraw, SPRAW44, Wyznaczenie zależności rezystancji od temperatury dla metalu i półprzewodnika
Wyznaczenie zależności rezystancji od temperatury dla metalu i półprzewodnika, CEL ˙WICZENIA:
lab 1 - wyznaczanie współczynnika lepkości dynamicznej, zależność lepkości od temperatury, kiciaqq
,Laboratorium podstaw fizyki,?danie zależności rezystancji od temperatury dla metali i półprzewodnik
BADANIE ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD TEMPERATURY DLA METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW 3
Badanie zależności rezystancji od temperatury dla metali i półprzewodników 1, 1

więcej podobnych podstron