..............................................................................................................................

Imię i nazwisko, nr indeksu, data

Egzamin część I

1. Zaznacz w tabeli poprawną odpowiedź

	Odpowiedź
Zachowanie układu	Tak	Nie
zwiększanie prądu bazy powoduje wzrost napięcia na kolektorze tranzystora w stanie aktywnym
zwiększanie rezystancji RB może doprowadzić do przejścia nasyconego tranzystora w stan aktywny
zastąpienie tranzystora pracującego w stanie aktywnym elementem o mniejszym wzmocnieniu β może spowodować wejście tranzystora w stan nasycenia
w stanie aktywnym złącze baza-kolektor jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia
zmniejszanie rezystora Rc może doprowadzić nasycony tranzystor do przejścia w stan aktywny

2. Narysuj charakterystykę IC=f(UCE) tranzystora bipolarnego dla stanu odcięcia. Narysuj obok charakterystykę idealnego łącznika w stanie wyłączenia.

3. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor bipolarny najlepiej pełni rolę załączonego łącznika w stanie aktywnym / nasycenia. Tranzystor w stanie aktywnym modelowany jest źródłem napięcia / prądu sterowanym napięciem/prądem bazy. W stanie odcięcia napięcie kolektor-emiter jest równe 0 / jest różne od 0 W stanie aktywnym prąd kolektora nie zależy/ zależy od prądu bazy W stanie nasycenia prąd kolektora jest większy/ mniejszy niż β IB .

4. Poniższy rysunek przedstawia układ z tranzystorem bipolarnym z obciążeniem L . Naszkicuj przebiegi Uce - napięcia kolektor- emiter i Ic prądu kolektora. Oblicz wartość prądu I_C w chwili T2

W jakich stanach pracy znajduje się tranzystor w chwilach T1, T2.

Ic(T2)=

stan T1.......................................................

stan T2.......................................................

5. Narysuj układ ze wzmacniaczem operacyjnym w konfiguracji wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu 3.

6. Narysuj odpowiedź układu całkującego na sygnał zadany jak na rysunku.

7. Narysuj układ ze wzm. operacyjnym pracujący jako przerzutnik

8. Skreśl fałszywe fragmenty zdań: Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Tranzystor IGBT jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem . Charakterystycznym parametrem dla tranzystora IGBT pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Charakterystycznym parametrem dla tranzystora MOSFET pracującego jako łącznik jest rezystancja RDSON / napięcie nasycenia Tranzystor MOSFET jest łącznikiem sterowanym napięciem / prądem .

9. Skreśl fałszywe fragmenty zdań:

W idealnym wzmacniaczu operacyjnym z dodatnim sprzężeniem zwrotnym napięcia na wejściach odwracającym i nieodwracającym są różne / równe .

Idealny wzmacniacz operacyjny ma rezystancję wejściową równą zero / nieskończenie dużą

Idealny wzmacniacz operacyjny ma rezystancję wyjściową równą zero / nieskończenie dużą

10. Opisz „efekt Millera” na przykładzie wyłączania tranzystora MOSFET

.

2.Stany pracy i charakterystyki tranzyst. bipolarnego

3.Tranzystor jako łącznik

4.Załączanie i wyłączanie tranzyst. bip. z obciążeniami L i C

5.Generator pojedynczego impulsu

6.Podstawowe właściwości idealnego i rzeczywistego WO

7.Konfiguracje układów z WO : sumator, wzm.odwracający, wtórnik, wzm. nieodwracający,

8.Układ całkujący i różniczkujący

9.Praca WO z elementami nieliniowymi w ujemnym sprzężeniu zwrotnym - prostownik operacyjny, ogranicznik

10.Praca WO z dodatnim sprzężeniem zwrotnym - przerzutniki

11.Wzmacniacz różnicowy

12.Tranzystory MOSFET i IGBT -właściwości elementów pracujących jako łączniki

13.Efekt Millera

14.Sterowanie tranzystorów mocy pracujących w układach mostkowych.

2

T

U_CE

T1

I

E

GND

E

C

B

c

I

C

R

C

b

R

WE

U

I

t

CE

U

t

we

U

t

E

U

I_C

U_WE

U_WY

t

t

---