64809

KAPITAŁ LUDZKI

•MKOCtf* SlK»r;a* SK jiOSO

UIMHMKUM .*•, iMguiKiKa’ *•••*

UR - nowoczesność i przyszłość regionu

Projekt współ finansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

I. Wstęp teoretyczny

Złączem p-n nazywamy układ, w którym półprzewodniki typu n przylega ściśle do półprzewodnika typu p. W temperaturach wyższych od zera bezwzględnego część poziomów domieszkowych jest zjonizowana. W paśmie walencyjnym części p istnieją dziury, a w paśmie przewodnictwa części n -elektrony. Są to nośniki większościowe. W obu pasmach istnieją także nośniki mniejszościowe - elektrony w części p oraz dziury w części n. Liczba nośników mniejszościowych zależy od temperatury półprzewodnika oraz szerokości przerwy wzbronionej.

Na skutek połączenia ze sobą obydwu części półprzewodnika zostaje zachwiana równowaga procesów tworzenia i rekombinacji nośników w półprzewodniku. Zaczyna się wyrównywać stężenie nośników większościowych w każdym paśmie (w paśmie przewodnictwa elektrony płyną w kierunku n->p, a w paśmie walencyjnym dziury płyną w kierunku p->n. Przepływ taki następuje aż do wyrównania się poziomów Fermiego w złączu. W złączu zostaje wytworzona równowaga dynamiczna.

przed zetknięciem półprzewodników

po zetknięciu półprzewodników

Jeżeli do złącza p-n przyłożymy napięcie elektryczne złącze zachowa się zależnie od tego w jaki sposób je spolaryzujemy. W przypadku, gdy do półprzewodnika typu n podłączymy potencjał ujemny a do półprzewodnika typu p - potencjał dodatni (mówimy wtedy o polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia) - zewnętrzna różnica potencjałów obniży potencjał półprzewodnika typu n powodując wzrost wartości prądów większościowych.

s. 2/6

Uniwersytet Rzeszowski, al. T. Rejtana 16c. 35-959 Rzeszów Biuro Projektu: budsnek Al, pokój 024. td. ♦ 48 17 872 11 84 www.nipr.univ.rzeszow.pt, D -J niprtn univ.rzeszow.pl