68782

8. Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:

dodatni    ujemny    zerowy

9. Technologię sitodruku stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:

hybrydowych cienkowarstwowych    monolitycznych    hybrydowych grubowarstwowych

10.    Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:

techniczne    precyzyjne    grzejne

11.    Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:

donorowo    akceptonowo    niedo mieszkowa nym

12.    Podstawową metodą oczyszczania materiałów półprzewodnikowych jest:

implantancja    topienie strefowe    transmutacja

13.    Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:

MBE    CVD    MOCYD

14.    Złącze p-n jest podstawowym elementem:

warystora    fotodiody    termistora

15.    Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:

elektronowy    jonowy    dipolowy

16.    Na straty w dielektrykach przy napięciu przemiennym ma wpływ ich:

przewodność    indukcyjność    polaryzacja

2.    Wiązania międzyatomowe metaliczne polegają na:

polaryzacji cząsteczek uwspólnieniu elektronów wymianie elektronów

3.    W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:

dwu ścienne    czterościenne    ośmiościenne

4.    Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:

punktowym    liniowym    powierzchniowym

5.    Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z materiałów:

ferromagnetycznych ferrimagnetycznych paramagnetycznych

6.    Materiał magnetycznie miękki powinien mieć małą wartość:

stratności    indukcji nasycenia    natężenia koercii

7.    Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest

FeO    Fe 203    NO

8.    Przewodność elektryczna metali ma charakter:

pozytonowy    elektronowy    jonowy

9.    Na połączenia przewodzące w układach elektronicznych scalonych stosuje się:

aluminium    miedź    karborund

10.    Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:

techniczne    precyzyjne    grzejne

11.    Dziury są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:

donorowo    akceptorowo    niedo mieszkowa nym

12.    Topnienie strefowe materiałów półprzewodnikowych wiąże się z kh:

odparowaniem    oczyszczaniem    domieszkowaniem

13.    Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:

MBE    CVD    MOCYD

14.    Temperaturowy wspókzynnik rezystancji materiałów półprzewodnikowych jest:

dodatni    ujemny    zerowy

15.    W dielektrykach mogą występować następujące rodzaje polaryzacji:

dipolowa    atomowa