89679

89679



konduktywność. Właściwości te ulegają zmianie po wprowadzeniu niewielkiej ilości (rzędu 1 atom na 10' atomów półprzewodnika) domieszek, co skutkuje pojawieniem się defektów sieci krystalicznej. Domieszki dzieli się na donorowe (wprowradza się atomy pięciowartościowe), oraz akceptorowe (do półprzewodnika wprowadzane są atomy trójwartościowe B, Al., Ga). Domieszkowanie półprzewodników powoduje powstawanie nowych poziomów' energetycznych, co ułatwia przewodzenie prądu elektrycznego. Domieszki donorowe (P, Sb, As) są przyczyną powstawania poziomów lokalnych, odległych od pasma przewodnictwa o około 0.0 leV (rys. 2a). Nośnikami prądu w domieszkowanym donorowo półprzewodniku są elektrony przedostające się z poziomów lokalnych do pasma przewodnictwa. Taki półprzewodnik nazywa się półprzewodnikiem typu n (negative). Atom pozbawiony elektronu staje się jonem dodatnim, nie biorącym udziału w przewodzeniu prądu, ze względu na ścisłe powiązanie z siecią krystaliczną.

Domieszki akceptorowe powodują powstawanie poziomów lokalnych w okolicy pasma podstawowego (rys. 2b).Elektrony przenoszą się z pasma podstawowego do poziomów lokalnych, wobec czego w paśmie podstawowym powstają wolne miejsca (tzw dziury) zachowujące się jak elementarne ładunki dodatnie (+e). Prąd elektryczny przewodzony jest dzięki pozornemu mchowi dziur w sieci krystalicznej. Tego typu półprzewodnika nazywany jest półprzewodnikiem typu p (positive). Atomy domieszek stają się w tym przypadku niemchomymi jonami ujemnymi, mającymi ładunek (—e).

b)


W


W


a)

Poziom lokalny

Pasmo

podstawowe


---©

Poziom lokalny

Pasmo

podstawowe

Rys. 1 Schematy pasm energetycznych półprzewodników niesamoistnych a) typ n; b) typ p

W rzeczywistości w każdym półprzewodniku występują zarówno wolne elektrony jak i dziury. Przewaga jednego typu nośnika (nośniki większościowe) decyduje o właściwościach półprzewodnika. Zjawiska występujące w materiałach półprzewodnikowych są bardzo skomplikowane, zwłaszcza w przypadku styku obszarów' o różnych typach przewodnictwa. Wykorzystuje się zjawiska przewodzenia, fotoelektryczne, magnetyczne, piezoelektryczne i inne Tak duża rozmaitość pozwala na budowanie przyrządów półprzewodnikowych o różnorakich zastosowaniach. Spośród wielu typów, w niniejszym ćwiczeniu pokazano kilka podstawowych elementów półprzewodnikowych, będących przyrządami w wielu współczesnych urządzeniach elektronicznych.

3. Charakterystyka wybranych elementów półprzewodnikowych.

3.1. Diody półprzewodnikow e

Prostow'niki zamieniają sygnał (prąd i napięcie) przemielmy, na przebieg jednokierunkowy Idealne elementy prostownicze to elementy stanowiące zwarcie dla jednego kierunku przewodzenia prądu, oraz przeiwę dla kierunku przeciwnego. Właśnie prostowanie jest jednym z podstawowych i najważniejszych zastosowań diod, zwanych często prostownikami

2



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
30 (132) Vl/jp Uwaga 1. . tlcOUL + O**- C te(/l! fi *« <f V cl <T Po wprowadzeniu współrzędnyc
55492 Slajd54 (14) Perfora Najlepsza metoda oceny miejsca perforacji: zdjęcia AP i bok po podaniu ni
testy, zielone str 40 7.    Do czterech zlewek wprowadzono niewielkie ilości roztworu
Zabawy wspomagająceZMYSŁ SMAKU o Wprowadzenie niewielkiej ilości mieszanie jej z tymi pokarmami, któ
Obraz5 (53) lub po dodaniu niewielkich ilości (mniejszych od ilości stechiometrycznych w stosunku d
DSCN4481 (4) Zachorowania na różyczkę przed i po wprowadzeniu szczepień Ręł 4. Uczbo rochocowart na
045 3 - 23 0 - być dozowane objętościowo, po uprzednia przeliczeniu ilości z jednostek Wagowych na o
1.    Kiedy po raz pierwszy zawisła flaga olimpijska na 10? j1920 Antwerpia 2.
DSC03455 ♦ Faza właściwa - rozpoczyna się po wprowadzeniu prac ki do pochwy a podczas wykonywania pe
WA30881 I902 SZSTEMATZCYNZ KURS 7 I djvu 224 — Wiemy, że rysy duchowe, właściwe danej grupie, ulegaj

więcej podobnych podstron