2100419995
MOSFET - zasada działania
|
Spadek |
napięcia na odcinku kanału o długości dy: |
|
t / , . In dy | |
|
uu \y) * o uh. * | |
|
Q„(y)| |
ładunek elektronów w warstwie |
|
inwersyjnej (na jednostkę powierzchni) | |
|
Id " Hn* ~ |
prąd płynący między źródłem a drenem ruchliwość efektywna w kanale |
|
W - |
szerokość kanału |
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
367 (18) 3C7Tranzystory połowę ze złączem p-n Jeżeli uwzględni się spadek napięcia na odcinku od pun
elektronika00100004 3.1.1. Zasada działania układu. Napięcie emitera tranzystora T3 jest ustalone, p
Image557 gdzie: Us — spadek napięcia na diodzie, U cm — napięcie tranzystora wyjściowego w stanie
skanuj0029 28 Rozdział 2. Rys. 2.5. Układ lunet ekstensometru Martensa Zasada działania przyrządu pr
gdzie: AU - spadek napięcia na twomiku Wprowadzając do wzoru (10) zależność (7),
4,2.3. Prąd w ustroju miliamperornierza przy pełnym odchyleniu wskazówki /c=20 mA. Spadek napięcia n
Uh=f(Ur) Zależność UH=f(UR) l/w] (l’lll>H ap^diui) Hfl UR (spadek napięcie na oporniku) [mVJ
Ur=f(Uc0,5) Zależność UR=f<UC) UR (spadek napięcia na oporniku) [mV)
Ur=f(Uc1,5) Zależność UR=f<UC) UR {spadek napięcia na oporniku) [iiiN/j
Żyroskop mechaniczny - pomiar prędkości kątowej. Zasada działania opiera się na własności inercji
2 (1447) Składnik U * X R wyraża spadek napięcia na rezystancji zewnętrznej* Oest ono nazywane napię
Przetwornice prądu stałego wartości tej wrócimy w paragrafie 2.3.d). Spadek napięcia na tranzystorze
DSC00616 /■ - częstotliwość źródła l > Vt V - *-V -spadek napięcia na reaktanc
MOSFET - zasada działania
MOSFET- - zasada działania
więcej podobnych podstron