9467141653

Instytut Technologii Elektronowej: Polski tranzystor mikrofalowy PolHEMT AlGaN/GaN dla radiolokacji

technologii 1 wykom

lologii Ełcki

j technologii, która może W tej dziedzinie Polska i adułami nadawczo-odbiorczymi (N-O) zbudowanymi

i INNOWACYJNYCH ROZWIĄZAŃ DLA BEZPIECZEŃSTWA I OBRONNOŚCI

we) było op

nikrofalowego PolHEMT AlGaN/GaN o mocy wyjściowe) IOW dla potrzeb krajowego przemysłu radio-

gający na wykorzystaniu struktur półprzewodnikowych AlGaN/GaN na monokrystalicznym podłożu z azotku galu

Zbrojnych RP" za 2015 rok.

Tranzystory HEMT (High Electron Mobility Transi-stors) wytwarzane na bazie azotku galu (GaN) są obecnie najlepszymi półprzewodnikowymi elementami aktywnymi do przetwarzania sygnałów wielkiej częstotliwości i dużej mocy. Podstawą do podjęcia badań było zapotrze-tej dziedzinie polskich ośrodków naukowych: instytutu Technologii Elektronowej (lider). Instytutu Radioelektroniki i Technik Multimedialnych Politechniki Warszawskiej, Instytutu Wysokich Ciśnień PAN i Instytutu Fizyki PAN. oraz firm rozwijających w kraju technologie azotkowe (Ammono S.A. i Top-GAN. sp.z o.o.j.

Konsorcjum uzyskało w 2012 roku dofinansowanie z Narodowego Centrum Badań i Rozwoju w wysokości ok. 7 PBS1/A3/9/2012). Celem projektu PolHEMT (Tr:

GaN/GaN r

PIT-RADWARSA.

Wymiernym wynikiem projektu są w pełni polskie mikrofalowe tranzystory AlGaN/GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu z azotku galu. Doprowadzono prace do V poziomu gotowości technologicznej (TRL). Ich konwnuowame wymaga dalszych badań i dofinansowania Obecnie poszukiwane są źródła finansowania umożliwiające podwyższenie TRL. W kwietniu 2016 r. kończy się realizacja projektu PolHEMT, który stwarza szansę na pozyskanie innowacyjnej pol-być m,in. wykorzystana w radiolokacji.

i przyszłością są anteny aktywne