2910490248

- 135 -

^n,l\^łcJ stałych). Pamięć t.a wymaca zasilaniu 5V, o JoJ pobór mocy wynosi ok. 6 uW/blt, ok. I *, poboru mocy wymaganego dla pomięci stałych o pojemności 8. 192 biły.

Aby uzyskać tę kombinację maloj mocy, dużej szybkości J gęstości, y.usto-".owuno bramki metalowe, a nio krzemowo zo względu na ich zaloty połączoń wzajomnycli. Technika ta zmniejszyła średnią wic-J-

₀    O    O

kość komórki w ukludzio pamięci a la loJ z ok. 0,5 mca.ltt" do ok. 0,25-0,29 mcalu , dując w wynlsu ziunleJazonie mikromoduŁu o ok. 20 - 30^.

Aby uzyskać dalszo z inni o Jszenio poi/lorzchni mikromodułu o 10-20^co, przyjęto n.olct.óro cozwi.jza-nia projektowo w zakresie układów zewnętrznych opracowano dla pamięci z dostępom swobodnym, m.iu. zastosowano różniczkowy wzmacniacz odczytu, który Jest bardziej czuły ni Z prosty przeksztulInlK w starszych pamięciach stałych.

Wahaniu nnpl.ęoia w ukłudźto nio są tak dużo jak w starszych pamięci ach stałych (tylko 0,5 V woboo /»-5 V).

Eloc t roni es I9V? nr 8

FIRMA FA.TRC11ILD URUCHAMIA PRÓBNĄ PRODUKCJĘ PAMIĘCI ZE SPRZĘŻENIEM ŁADUNKÓW 0 POJEMNOŚCI 05536 BITÓW

Firma Futrohild zaanonsowała wypuszczenie na rynek próbnoj sorii pamięci zo sprzężcnicni ładunków (OCJ)) o pojemności 65.536 bitów. Początkowym terminem był pierwszy kwartał 1977 r_v , ale Opóźnieni o zostało spowodowano pos tanoi/icniom firmy Fairchild umioszczon.1 a pamięci w pakiecie o szerokości 300 incali - mówi Robort lłwyor, dyroktor ds maxTcotingu dla urządzeń typu MOS i ze sprzężeniem ładunków. Cona w liczbio 100 sztuk wyniesie 96,61 doi. za moduł. Również firma Tezux lnsfcrn-mmit.M ogłosiła JuZ wczośnio, Zo w kwietniu przedstawi toj samoj wiolkości próbki painięcj zo spr/ę-żoiiiom ładunków.

Electronics 1977 nr 7

"DYSK ELASTYCZNY" W TECHNICE CCD

CCJ)ISC-Mcmory-Sy»tom amerykańskiej firmy Alphu Data Inc. funkcjonujo podobnio jak dysk ol*s-tyczny; jest jednak znacznio szybszy 1 nic zawioru części poruszanych mechanicznio. Jest to roz-budowywalna pamięć CCD, u pojemności równej pamięci oloktromochanicziio j, zo środniiu czasem dostępu wynoszącym 25O i w związku z tym ^li0 razy szybsza. Systoin można rozbudowywać stopniowo, no 128 kbajtów, aż do osiągnięcia maksymalnej pojemności pamięci 102^ Kbnjty; pos. u on poza tyu (podobnio jole na dysku) 16 do 128 "ścieżek”, z których każda zawiera kOS>6 słów 16-bitowych. Pamięć CCD umieszczona jest w 19—calowej obudowie (l8xk8x5l cm).. System CCD1SC spoinie wysokie wy— macaniu do tyczące szybkości przekazywani a danych: wnrtość wynosi maksyma lnio h Mllz. .^lorowonic można dostosować do wloJu typów minikomputerów za pomocą odpowiednich układów interfejsów, przy czym wyprowadzone wyjścia dostosowano są do tcclinikl TTL. Podsiuuowu Jąc, Jes t to produkt mogący siać się poważnym konkurentem dla dysków elastycznych w różnych dziedzinach zastosowań.

Elektronik 1977 nr •

PAMIĘĆ DOMENOWA FIRMY ROCKWELL 0 POJEMNOŚCI 1 Mbit

Firma Hockwel! In terna ti onn 1 opracowała największą zo znanych płytkę pamięci domenowej o pojy..-noścł l Mbit wytworzoną metodą fotolitogruficzną. Wymiary płytki wynoszą U00x^00 mcoli, przy średniej wielkości komórki 8 p* 11 oraz domen 18 /ira. Adresowanie danych jost blokowe przy min im;-Ino j wie.lkoś« i bloku 5^2 bitów.

do

Omawiana płytka plunięci owa przodstawia znaczny w/.roa t CV^S poprzednich oprueo./an produkowanych przez firmę Roc:l;wull

toścl zapisu 1 dla NASA. Może

nf o rui a o to być

ji w stosunku głównym czynut-