F 10 Tranzyst MOS zubożany

Charakterystyki przejściowe tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym
ID = f(UGS)
UDS = const.
ID [mA]
UDS2
ìÅ‚UDS2ìÅ‚ > ìÅ‚UDS1ìÅ‚
UT  napięcie progowe
UDS1
UT 0 UGS [V]
Charakterystyki przejściowe tranzystora MOS z kanałem
wzbogacanym typu p.
Model warstwowy tranzystora MOS z kanałem typu p zubo\anym
G
S D
SiO2
p+ p+
kanał wbudowany typu  p
Si(n)
B
D D
Symbol tranzystora MOS
Symbol tranzystora MOS
z kanałem zuba\anym
z kanałem zuba\anym
typu n
typu p
B
B
G
G
S S

Wyszukiwarka