3654574954

1. Wstęp

Pro

PtoMK,P*Mm n P Rn

P SCZn

Pscz

Q„

Rd

R<ksai

Resr

Rg

Rpsc

R_m,

Rsc

Rscz Rinsc rj, r_D

S&

S_M

!?m, 5_m S_N S„

Tj

T_m

tr

TRDC

t_ml

T_s

Tsdc

U CE IT CE

inoc wydzielana na rezy storach rozpraszających energię R_D

moc maksy malna wydzielana na rezystorach rozruchowych R_m/, wartość znamionowa

moc znamionowa rezystorów

moc znamionowa zasobnika superkondcnsatorow ego

moc rozładowywania zasobnika superkondcnsatorow ego

ładunek przejściowy związany z prądem wstecznym diody

rezystancja równolegle przyłączonych rezystorów rozpraszających energię na

kondensatorach obwodu pośredniczącego przekształtnika kaskadow ego

rezy stancja rezystora w obwodzie zabezpieczenia drajwera od dcsaturacji tranzy stora

rezy stancja szeregow a kondensatora reprezentująca jego stratność

rezystancja obwodu bramkowego tranzystora, przy której zostały wykonane pomiary strat

energii Ej_on, £toit

rezy stancja równoległa supcrkondensatora. Rezystancja ta odpow iada za samorozladowanie superkondensatora

rezy stancja rezystorów rozruchowych służących do naładowania obwodu pośredniczącego przekształtnika AC-DC

rezy stancja szeregow a superkondensatora lub modułu superkondcnsatorow ego. Rezy stancja ta odpow iada za straty przewodzenia superkondensatora rezystancja szeregowa zasobnika superkondcnsatorow ego

rezy stancja cieplna pojedynczego superkondensatora lub modułu superkondensatorowego rezy stancja dynamiczna w stanie przewodzenia: tranzystora IGBT i diody oznaczenie A^--tego tranzystora w fazie x gdzie xe{A, B. C}, oznaczenie to stosuje się w pracy także do oznaczenia sygnałów sterujących tymi tranzystorami sygnał modulujący. W przy padku sy gnałów nośnych faz A, B. C stosuje się oznaczenie sy gnału modulującego .S'_Ma, Smb i S_Mc

ustalona w artość sygnału modulującego SM i jego składnik realizujący stabilizację wewnętrzną lub zew nętrzną

sygnał nośny. W przy padku istnienia większej liczby sygnałów nośnych stosuje się oznaczeniaS_N), 5'_N2,...

znamionowa moc pozorna przekształtnika AC-DC

temperatura złącza tranzystora i diody, przy której mierzone są charaktery styki przewodzenia i charakterystyki przełączania okres podstawow ej harmonicznej. T_M = 1//m.

sygnały realizowane w układzie programowalnym do dekodowania sygnałów PWM z mikrokontrolera - rys. 7.18

czas ładów ania kondensatorów obwodu pośredniczącego przez rezystory' rozruchowe do napięcia U_Dcihi

czas rozładowania kondensatorów obwodu pośredniczącego przez rezystory' rozpraszające energię

czas rozładow ania superkondensatora. modułu lub zasobnika superkondcnsatorow ego okres przełączania tranzystorów przekształtnika AC-DC, Ts = 1 /fs okres przełączania tranzystorów przekształtnika DC-DC

napięcie występujące na tranzy storze w stanie blokowania dla którego odczytane zostały straty energii przy załączaniu i wyłączani tranzystora

napięcie występujące na tranzystorze w stanie blokowania, stosowany w analizie strat mocy

10