Katedra Fizyki Politechniki Rzeszowskiej
Od kilku lat obserwujemy rosnący wzrost zainteresowania nanomateriałami. Jednym z takich materiałów są nanopłyny, wytwarzane jako zawiesiny nanocząsetek w cieczach bazowych. Jako ciecz bazową stosuje się najczęściej alkohole, oleje lub wodę destylowaną.
Praca przedstawia badania właściwości elektrycznych nanopłynów opartych o cząstki tlenku aluminium zawieszone w glikolu etylenowym jako cieczy bazowej (AI203-EG). Pomiary przeprowadzono dla pięciu koncentracji masowych nanocząsetk w cieczy w zakresie temperatur od 10 °C do 50 °C oraz częstotliwości od 20 Hz do 200 kHz.
I Fizyka Techniczna, II st., Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski opiekun: dr P. Kolek, Centrum Innowacji i Transferu Wiedzy Techniczno-Przyrodniczej, UR
Celem niniejszej prezentacji jest przedstawienie mojej pracy inżynierskiej dotyczącej skonstruowania ogniw bezpośredniego utlenienia węgla (DCFC) i przeprowadzenie analizy charakterystyki oraz parametrów pracy tych ogniw, jak również próba odpowiedzi na pytanie, dlaczego ogniwa bezpośredniego utleniania węgla nie znalazły zastosowania w dzisiejszej energetyce. Badaniom poddanych zostało pięć samodzielnie skonstruowanych ogniw bezpośredniego utleniania węgla. Przebadane zostały charakterystyki prądowo-napięciowe tych ogniw w szerokim zakresie temperatury pracy. Stopiony wodorotlenek potasu (KOH) został użyty jako elektrolit w czterech ogniwach paliwowych, natomiast w ostatnim ogniwie zastosowano tlenek wapnia będący elektrolitem stałotlenkowym.
Zasada działania ogniw bezpośredniego utlenienia węgla została omówiona na początku prezentacji. Przedstawiony zostanie także podział tych ogniw, ich wady oraz zalety.
Omówienie wykonania ogniw DCFC oraz przeprowadzonych eksperymentów, a także analiza uzyskanych wyników i danych doświadczalnych zawarta jest na końcu prezentacji. Wyniki te umożliwiły zbadanie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz mocowo-napięciowych w szerokim zakresie temperatur pracy badanych ogniw.
II Fizyka Techniczna, II st., Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski opiekun: dr hab. M. Sznajder, Centrum Innowacji i Transferu Wiedzy Techniczno-Przyrodniczej, UR
Pomimo tego, że azotek galu i azotek aluminium osadzane na podłożu węglika krzemu znajdują szerokie zastosowanie w urządzeniach elektronicznych wysokich mocy, temperatur i częstotliwości, a badania doświadczalne w zakresie wytwarzania tych struktur są zaawansowane, to zjawiska fizyczne zachodzące na międzypowierzchni heterostruktur 4H-SiC/wz-GaN i 4H-SiC/wz-AIN o symetrii wurcytu są do dzisiaj mało poznane. Każdy z tych materiałów cechuje się wiązaniem kowalencyjno-jonowym, przy czym procentowy udział poszczególnego rodzaju wiązania dla każdego z tych materiałów jest inny. Ponadto, na międzypowierzchniach tych heterostruktur wiązania chemiczne tworzone są przez atomy o różnej walencyjności, co wraz z obecnością spontanicznej polaryzacji oraz piezo- i pyroelektrycznym charakterem materiałów tworzących rozważane heterostruktury odgrywa kluczową rolę w procesie osadzania warstw GaN i AIN na podłożu SiC.