8812711023

8812711023



LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO

ZADANIA DO WYKONANIA

A. Pomiary statycznych wartości pola magnetycznego

Pomiar zmiany składowej stycznej natężenia zewnętrznego pola magnetycznego H pod wpływem krokowej zmiany zewnętrznego obciążenia czujnika magnetostrykcyj nego.

Celem wykonywanego zadania jest zapoznanie się ze sposobem pomiaru składowej stycznej wektora natężenia pola magnetycznego H w próbce walcowej z materiału wykazującego zjawisko odwrotnej magnetostrykcji. Materiał ten poddany ąuasistatycznym zmianom obciążenia zewnętrznego w postaci siły wykazuje zmianę wektora magnetyzacji M czego następstwem jest zmiana składowej stycznej natężenia pola magnetycznego H. Zjawisko to charakteryzuje się pewną nieliniowością, której obserwacja jest jednym z celów ćwiczenia. Schemat pomiarowy został przedstawiony na rysunku Al.

o

sensor pola

mh

M

‘ maqnetvczneqo

■*


Rys. Al. Schemat pomiarowy do pomiaru składowej stycznej natężenia pola magnetycznego próbki walcowej typu GMM

Obciążenie próbki siłą powinno następować krokowo do pewnej wartości. Następnie należy próbkę odciążyć do zadanej wartości początkowej Fo- Cykl taki należy powtórzyć kilkakrotnie za każdym razem zwiększając maksimum osiąganej wartości obciążenia przed przystąpieniem do odciążania próbki (rys. A2). Pomiary należy wykonać dla zadanej stałej wartości natężenia pola magnetycznego Ho- (Wprowadzenie Fo i H0 wprowadza warunki początkowe wpływające na mierzone wartości - kształt uzyskiwanych krzywych).

F[N]

a[Pa]


Fo- -    -    - ►

kolejny pomiar

Rys. A2. Cykliczne obciążenie ąuasistatyczne próbki siłą Pomiar wartości składowej stycznej natężenia pola magnetycznego H będzie realizowany za pomocą czujnika pola magnetycznego (sondy Halla lub magnetorezystora) przyłożonego do powierzchni próbki. Należy odczytać wartości pola dla odpowiadających im wartości obciążenia. Wyniki należy odnotować w tabeli Al i dołączyć do sprawozdania.

15


OPRACOWAŁ: J.M.BOMBA (1-19), jacek.bomba@pwr.wroc.pl, Bl/110, TEL. 320 28 99



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Czujn
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Rys. 13. Struktura płytki
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Zmiana orientacji pomiaru
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Rys. 16. Zależność wartości Vo n
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Hy(kA/m) Rys. 18. Zależność wart
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO natomiast znacznie wyższe w mate
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO B. Pomiary dynamicznych wartości
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO C. Opracowanie wyników Sprawozda
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO OPIS GRUPY - data...............
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGOWPROWADZENIE TEORETYCZNE POLE
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO EFEKTY KRZYŻOWE POLA MAGNETYCZNE
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Materiały o gigantycznej magneto
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO przedstawionych krzywych silnie
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO V gdzie V0 [mV] - napięcie
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO W tej prostej postaci efekt
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO po linearyzacji [Phi1998] Rys. 1
Systemy wbudowane Przetworniki magnetorezystancyjne Sensory pola magnetycznego pozwalają na realizac
I. Układ do pomiaru e/m metodą poprzecznego pola magnetycznego. Do wytwarzania wiązki elektronów słu
IMG78 (16) MagnesZadaniem magnesu jest wytwarzanie jednorodnego pola magnetycznego. Do tego celu st

więcej podobnych podstron