8812711157

18 Podstawy energoelektroniki - laboratorium

Rys. 9. Schemat funkcjonalny układu pomiarowego tranzystora IGBT

■    Przełącznik PI - ustawienie rodzaju obciążenia w układzie klucza dolnego:

o R - obciążenie rezystancyjne R = 4,7 Q

o RL - obciążenie RL (rezystancyjno-indukcyjne, R = 4,7Q,L = 10 pH) o RLD - obciążenie RL z diodą tłumiącą MUR860

■    Przełącznik P2 - wybór konfiguracji pracy: o L - klucz dolny

o H - klucz górny o P - układ półmostkowy

Uwaga!

Wszystkie zmiany nastaw z wykorzystaniem przełączników PI i P2 wykonujemy wyłącznie przy wyłączonym napięciu zasilającym obwód mocy!

■    START - uruchomienie generatora sygnałów sterujących (wygenerowanie pojedynczego impulsu bramkowego)

■    VZAS L - napięcie zasilające układ klucza dolnego

■    VZAS H - napięcie zasilające układ klucza górnego

■    PR1 - regulacja czasu opóźnienia pomiędzy końcem impulsu sterującego VGG L a początkiem impulsu sterującego VGG H