9172401608

9172401608



PROGRAM ROZWOJOWY

POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ

Czujniki pojemnościowe:

Działanie pojemnościowych czujników ciśnienia opiera się na zmianie pojemności specjalnej budowy kondensatora. Kondensator taki tworzy membrana podatna na działanie ciśnienia zewnętrznego i sztywne krzemowe podłoże. Między membraną i podłożem umieszczony jest pierścień z izolatora, którego zadaniem jest odizolowanie membrany od podłoża oraz uszczelnienie powstałej komory. W komorze znajduje się gaz zamknięty pod ciśnieniem odniesienia.

W czasie pomiaru ciśnienie działające na membranę powoduje jej wygięcie. Odkształcająca się membrana zmienia swoje położenie względem podłoża. Zmiana odległości miedzy membraną a podłożem skutkuje zmianą pojemności elektrycznej czujnika. Największe ugięcie membrany jest na jej środku i ma ono największy wpływ na zmianę pojemności. W pobliżu krawędzi membrany jej odległość od podłoża pozostaje stała, skutkiem czego jest występowanie stałych pojemności czujnika (nie wrażliwych na zmiany ciśnienia). Aby zmniejszyć pojemność stałą czujnika brzegi podłoża są podtrawiane, tak aby zwiększyć odległość od membrany.

Meml>! ana krzemowa Komora z ciśnieniem odniesienia

- Podłoże

Rys. I Budowa pojemnościowego czujnika ciśnienia.


Podtrawienia brzegowe


Zaletą czujników pojemnościowych jest stałość ich parametrów w czasie i mały wpływ temperatury na wyniki pomiarów. Wadą jest konieczność stosowania rozbudowanych układów pomiarowych.

Czujniki piezorezystancyjne:

Czujniki piezorezystancyjne zawdzięczają swoją nazwę zastosowanym w nich piezorezystorom. Piezorezystory są elementami mechanicznymi, których rezystancje zależy od zmiany długości (odkształcenia) wzdłuż ich osi poprzecznej. Czułość piezorezystorów jest ok. 10-100 razy większa niż w przypadku tensometrów oporowych.

Podczas zajęć laboratoryjnych do pomiaru ciśnienia hydrostatycznego wykorzystywany będzie kateter firmy Sentron, na końcu którego znajduje się piezorezystancyjny czujnik ciśnienia [1]

W typowych czujnikach piezorezystancyjnych, głównym elementem jest wytrawiona w krzemie membrana. Na membranie tej umieszczone są przetworniki piezorezystancyjne. Po jednej stronie (spodniej) membrany znajduje się ciśnienie odniesienia (ciśnienie atmosferyczne doprowadzone przez kanał wlotowy).

KAPITAŁ LUDZKI

NARODOWA STRATEGIA SPÓJNOŚCI


3


UNIA EUROPEJSKA


EUROPEJSKI FUNDUSZ SPOŁECZNY


m




Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
PROGRAM ROZWOJOWY ^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ dr inż. Adam BiernatElectrical Machines in the Power
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Only for the linear case (no magnetic saturation) the
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ phase conducts), and maximum torąue is achieved by max
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ a = Ua — The maximum value of #w, for Qon = 0 (zero ad
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ It should be noticed that the interval of conduction i
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ By adjusting the turn-on and turn-off angles so that t
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ To solve above eąuation one must find transient curren
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fig. 1.15. Instantaneous value of voltage and current
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fig. 1.17. a) One key switch. b) Unipolar current
PROGRAM ROZWOJOWY ^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJPROGRAM ROZWOJOWY 2. PERMANENT MAGNET BRUSHLESS MOTOR
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ SRMs do, however, offer some advantages along with pot
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 2-phase.    4-phase. 4 stator poles i 2
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ The symmetry of magnetic Circuit leads to the almost z
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Using eąuations (1.3) to (1.5), the incremental mechan
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 1)    The torque is proportional to the
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Eąuation (1.14) may be written as: transformation rota
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ EAM - laboratoriumLaboratorium Elektroniczna Aparatura
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie z badan
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Aparaty i urządzenia medyczne muszą spełniać szczególne

więcej podobnych podstron