9172401609

9172401609



PROGRAM ROZWOJOWY

POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ

wgłębienie

półprzewodnika


zaślepka

tworzywo elastyczne

kanał doprowadzający ciśnienie atmosferyczne odprowadzenia

piezorezystory


otwór z ciśnieniem atmosferycznym


Rys. 2 Budowa piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia

Zasadnicza część czujnika jest osadzona na warstwie szkła o identycznej rozszerzalności cieplnej co krzem. Mierzone ciśnienie doprowadzane jest do membrany przez otwór w obudowie, powodując jej odkształcenie, które prowadzi do zmiany rezystancji umieszczonych na niej piezorezystorów. Piezorezystory pracują w układzie pełnego mostka Wheatstone’a tzn. pod wpływem odkształcenia, dwa z nich umieszczone na górze membrany ulegają rozciągnięciu (ich rezystancja rośnie), a pozostałe dwa umieszczone na spodzie membrany ulegają zgnieceniu (ich rezystancja maleje). Napięcie wyjściowe Up w mostu Wheatstone'a zależy od rezystancji piezorezystorów oraz od napięcia zasilania mostka i wyraża się następującym wzorem:


(6)

Rys. 3 Pełny mostek Whatestone'a

Sygnał napięciowy z mostka pomiarowego ma małe wartości (rzędu dziesiątek miliwoltów), więc musi być dodatkowo wzmocniony.

Budowa układu pomiarowego:

Przetwornik

ciśnienia


Kalibrator


Wzmacniacz


Rys. 4 Schemat toru pomiarowego

NARODOWA STRATEGIA SPÓJNOŚCI


KAPITAŁ LUDZKI


4


UNIA EUROPEJSKA

EUROPEJSKI FUNDUSZ SPOŁECZNY


m




Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
PROGRAM ROZWOJOWY ^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ dr inż. Adam BiernatElectrical Machines in the Power
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Only for the linear case (no magnetic saturation) the
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ phase conducts), and maximum torąue is achieved by max
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ a = Ua — The maximum value of #w, for Qon = 0 (zero ad
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ It should be noticed that the interval of conduction i
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ By adjusting the turn-on and turn-off angles so that t
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ To solve above eąuation one must find transient curren
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fig. 1.15. Instantaneous value of voltage and current
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fig. 1.17. a) One key switch. b) Unipolar current
PROGRAM ROZWOJOWY ^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJPROGRAM ROZWOJOWY 2. PERMANENT MAGNET BRUSHLESS MOTOR
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ SRMs do, however, offer some advantages along with pot
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 2-phase.    4-phase. 4 stator poles i 2
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ The symmetry of magnetic Circuit leads to the almost z
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Using eąuations (1.3) to (1.5), the incremental mechan
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 1)    The torque is proportional to the
PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Eąuation (1.14) may be written as: transformation rota
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ EAM - laboratoriumLaboratorium Elektroniczna Aparatura
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie z badan
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Aparaty i urządzenia medyczne muszą spełniać szczególne

więcej podobnych podstron