9172401609
PROGRAM ROZWOJOWY
POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ
wgłębienie
półprzewodnika
zaślepka
tworzywo elastyczne
kanał doprowadzający ciśnienie atmosferyczne odprowadzenia
piezorezystory
otwór z ciśnieniem atmosferycznym
Rys. 2 Budowa piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia
Zasadnicza część czujnika jest osadzona na warstwie szkła o identycznej rozszerzalności cieplnej co krzem. Mierzone ciśnienie doprowadzane jest do membrany przez otwór w obudowie, powodując jej odkształcenie, które prowadzi do zmiany rezystancji umieszczonych na niej piezorezystorów. Piezorezystory pracują w układzie pełnego mostka Wheatstone’a tzn. pod wpływem odkształcenia, dwa z nich umieszczone na górze membrany ulegają rozciągnięciu (ich rezystancja rośnie), a pozostałe dwa umieszczone na spodzie membrany ulegają zgnieceniu (ich rezystancja maleje). Napięcie wyjściowe Up w mostu Wheatstone'a zależy od rezystancji piezorezystorów oraz od napięcia zasilania mostka i wyraża się następującym wzorem:
(6)
Rys. 3 Pełny mostek Whatestone'a
Sygnał napięciowy z mostka pomiarowego ma małe wartości (rzędu dziesiątek miliwoltów), więc musi być dodatkowo wzmocniony.
Budowa układu pomiarowego:
Rys. 4 Schemat toru pomiarowego
NARODOWA STRATEGIA SPÓJNOŚCI
UNIA EUROPEJSKA
EUROPEJSKI FUNDUSZ SPOŁECZNY
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
PROGRAM ROZWOJOWY ^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ dr inż. Adam BiernatElectrical Machines in the PowerPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Only for the linear case (no magnetic saturation) thePROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ phase conducts), and maximum torąue is achieved by maxPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ a = Ua — The maximum value of #w, for Qon = 0 (zero adPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ It should be noticed that the interval of conduction iPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ By adjusting the turn-on and turn-off angles so that tPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ To solve above eąuation one must find transient currenPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fig. 1.15. Instantaneous value of voltage and currentPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fig. 1.17. a) One key switch. b) Unipolar currentPROGRAM ROZWOJOWY ^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJPROGRAM ROZWOJOWY 2. PERMANENT MAGNET BRUSHLESS MOTORPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ SRMs do, however, offer some advantages along with potPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 2-phase. 4-phase. 4 stator poles i 2PROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ The symmetry of magnetic Circuit leads to the almost zPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Using eąuations (1.3) to (1.5), the incremental mechanPROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 1) The torque is proportional to thePROGRAM ROZWOJOWY^1 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Eąuation (1.14) may be written as: transformation rotaPROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ EAM - laboratoriumLaboratorium Elektroniczna AparaturaPROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie z badanPROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Aparaty i urządzenia medyczne muszą spełniać szczególnewięcej podobnych podstron