9588048950

9588048950



PROGRAM ROZWOJOWY

lUl POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ


Ćwiczenie 3


„Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika Indukcyjnego i hallotronu”


Indukcja magnetyczna [T]

10'15    10'12    109 1CT6 10*    1    103

Przetwornik

induktorowy    ......... ......... '' f

Przetwornik

transduktorowy

Przetwornik

NMR

Przetwornik

halotronowy

Przetwornik

magnetorezys-

tancyjny

SQUID

Rys. 1. Zakresy pomiarowe przetworników do pomiaru parametrów pola magnetycznego

[1].

Przetworniki magnetorezystancyjne, zwane także gaussotronami, wykorzystują zjawisko polegające na wzroście rezystancji właściwej cienkiej warstwy ferromagnetyka pod wpływem pola magnetycznego. Następuje ono na skutek zwiększonego rozpraszania i wydłużenia drogi nośników ładunku. Dla słabych pól magnetycznych zmianę tę można opisać zależnością liniową [2]:

(1)


PB=Po*(l+a*|J2H*B)

gdzie:po - rezystywność właściwa materiału nie poddanego działaniu pola magnetycznego, pH - ruchliwość Halla nośników ładunku, a - współczynnik opisujący mechanizm rozpraszania,

B - indukcja mierzonego pola magnetycznego.

a


KAPITAŁ LUDZKI

NARODOWA STRATEGA SPÓJNOŚCI


Laboratorium Sensorów i Pomiarów Wielkości Nieelektrycznych


UNIA EUROPEJSKA

EUROPEJSKI FUNDUSZ SPOŁECZNY




Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Ćwiczenie 7 „Czujniki pól magnetycznych. Badanie
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Ćwiczenie 9 „Czujniki pól magnetycznych. Badanie
i 6 Ćwiczenie „Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika Indukcyjnego i hallotronu” rzonych sił
PROGRAM ROZWOJOWY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Ćwiczenie 11 „Czujniki pól magnetycznych. Badanie
10 Ćwiczenie    [j^J program rozwojowy „Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika
2 Ćwiczenie    fSi program rozwojowy „Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika
4 Ćwiczenie    fSi program rozwojowy „Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika
8 Ćwiczenie    fSi program rozwojowy „Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fot.2. Widok rzeczywisty płyty głównej
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Rys. 3. Schemat testu 3 - pomiar rezystancji izolac
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Enclosure Rys. 5. Test 5 - pomiar rezystancji uziem
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ N/R switch Rys. 7. Schemat testów 8, 9 i 10 - pomia
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Rys. 9. Schemat testów 14,15 i 16 - pomiary prądu
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Część aplikacyjna typu BF - część typu B z dodaną
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ za pomocą „Electrical Safety Tester RIGEL
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ 8.2. Dane techniczne i schematy układów pomiarowych
PROGRAM ROZWOJOWY I15! POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJKlasyfikacja defektów struktury krystalicznej wg wym
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Fot.2. Widok rzeczywisty płyty głównej
PROGRAM ROZWOJOWY I111 POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ Rys. 3. Schemat testu 3 - pomiar rezystancji izolac

więcej podobnych podstron