PROGRAM ROZWOJOWY
lUl POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ
Ćwiczenie 3
„Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika Indukcyjnego i hallotronu”
Indukcja magnetyczna [T]
10'15 10'12 109 1CT6 10* 1 103
Przetwornik
induktorowy ......... ......... '' f
Przetwornik
transduktorowy
Przetwornik
NMR
Przetwornik
halotronowy
Przetwornik
magnetorezys-
tancyjny
SQUID
Rys. 1. Zakresy pomiarowe przetworników do pomiaru parametrów pola magnetycznego
Przetworniki magnetorezystancyjne, zwane także gaussotronami, wykorzystują zjawisko polegające na wzroście rezystancji właściwej cienkiej warstwy ferromagnetyka pod wpływem pola magnetycznego. Następuje ono na skutek zwiększonego rozpraszania i wydłużenia drogi nośników ładunku. Dla słabych pól magnetycznych zmianę tę można opisać zależnością liniową [2]:
(1)
PB=Po*(l+a*|J2H*B)
gdzie:po - rezystywność właściwa materiału nie poddanego działaniu pola magnetycznego, pH - ruchliwość Halla nośników ładunku, a - współczynnik opisujący mechanizm rozpraszania,
B - indukcja mierzonego pola magnetycznego.
a
UNIA EUROPEJSKA
EUROPEJSKI FUNDUSZ SPOŁECZNY