Wyniki wyszukiwana dla hasla DSCN5460 DSCN5405 (2) I —Królik. Jelita od strony prawej /schematycznTablica 203 l pytom* — odfttftmlk 1DSCN5405 (3) Przykład: odczyt pamięci kolejno z adresów: 0,8.0,6.8 4 blokowy cache direct mapped ADSCN5406 Przykład: odczyt pamięci kolejno z adresów. 0.8.0,6, 8 4 blokowy cache two-way set as$ociatDSCN5407 Przykład: odczyt pamięci kolejno z adresów: 0.8,0.6,8 4 blokowy cache fully associative AdrDSCN5408 Ą POLITECHNIKA RZESZOWSKA - Wydział EkttrotethP*i I Informatyk u vaRodzaDSCN5408 (2) Dla 4kB cache i różnego stopniaDSCN5411 Wielopoziomowa pamięć podręczna (muftilevel cache) L1 - mała (np. 2*32kB). małe bloki, prioDSCN5413 LI cache organ ization Split instruction and data caches Split instruction and data caches DSCN5414 POLITECHNIKA RZESZOWSKA - WydzW EMtnMctmW I InfomtfywKlasy wewnętrzne - uwagi ■ DSCN5422 POLITECHNIKA RZESZOWSKA - Wydział Elektrotechniki I Informatyki i 3vaPrzykład klas wewnętrzDSCN5426 ■ire*- POLITECHNIK* RZESZOWSKA - Wydział EtoarotKhnrtn . Mbrmsr.tt ----Tworzenie obiektów kDSCN5431 POLITECHNIKA RZESZOWSKA - WydzMI Elektrotechnid ł InfbrmKyWKtóra składnia tworzenia obiektuDSCN5432 POLITECHNIKA RZESZOWSKA - POLITECHNIKA RZESZOWSKA -Która składnia tworzenia obiektu b klasyDSCN5433 POLITECHNIKA RZESZOWSKA - Wydzał Elektrotechniki t Irtforratyk!Która składnia tworzenia obiDSCN5437 AGH B lokom ponenty Estry metylowe kwasów tłuszczowych: FAMĘ (FattyDSCN5438 □ a □ b □ c □ d □DSCN5438 (2) Uwagi eto stosowania FAMĘ AGHZalety FAMĘ • Paliwo ze źródeł odnawialnDSCN5439 POLITECHNIKA RZESZOWSKA - WydMI EfettrottehnWKtóre zmienne (a, b, c, d, e) są widoczne w miDSCN5439 (2) Odporność ON na utlenianie AON Obecność wodv i FAMĘ obniża odporność ON na utlenianie.DSCN5440 *5®3iH8K0£ HM *5®3iH8K0£ HM AGHBiodegradacja « £ aal 02 2Ł : fi 0 OH RME PaiwoRME - esterWybierz strone: [
1 ] [
3 ]
