Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 7 Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - teLaboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propoLaboratorium Elektroniki cz I 4 144 7.2.4. Złącze p-n Wykonane w materiale półprzewodnikowym złączLaboratorium Elektroniki cz I 6 148 nośników. W związku z tym wyrażenie na temperaturowy współczynLaboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperatLaboratorium Elektroniki cz I 4 Charakterystyki anodowe zależą od temperatury. Przy wzroście tempeLaboratorium Elektroniki cz I 5 166 anodowy, a następnie po kilku ns załączymy go ponownie, to, jeLaboratorium Elektroniki cz I 6 168 BYP660 51 fi, Rys. 8.7. Źródła impulsów prostokątnych w stanowLaboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystoraLaboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnycLaboratorium Elektroniki cz I 2 180 - diody o małym czasie opadania tf, stosowane do formowania baLaboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie regLaboratorium Elektroniki cz I 9 Rys. 11.1. Układ wzmacniacza ze źródłem sygnału (Eg, Zg) i obciążeLaboratorium Elektroniki cz I 0 196 W praktyce najszersze zastosowanie ma układ OE, przede wszystkLaboratorium Elektroniki cz I 2 200 Przy optymalnym, ze względu na zniekształcenia, doborze punktuLaboratorium Elektroniki cz I 4 204 Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skuteczne przy stosLaboratorium Elektroniki cz I 5 206 O Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektoroLaboratorium Elektroniki cz I 9 214 2. Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i ki Laboratorium Elektroniki cz I 1 21811.7. Literatura 1. T. Zagajewski: Układy eleLaboratorium Elektroniki cz I 3 222 r r9Wybierz strone: [
10 ] [
12 ]
