Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 4 Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 O Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektoroLaboratorium Elektroniki cz I 9 214 2. Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i ki Laboratorium Elektroniki cz I 1 21811.7. Literatura 1. T. Zagajewski: Układy eleLaboratorium Elektroniki cz I 3 222 r r9Laboratorium Elektroniki cz I 6 228 Ponieważ napięcie to sumuje się z napięciem na rezystorze Rc tLaboratorium Elektroniki cz I 8 232 w punkcie 1, dobierając na podstawie uzyskanych tam wyników opLaboratorium Elektroniki cz I 5 246 Dla klucza K otwartego mamy: U 0 = KuUj 246 Dla klucza K zwartLaboratorium Elektroniki cz I 6 248 dwustrumieniowy (np. typu DT 5100), generator funkcyjny (prostLaboratorium Elektroniki cz I 8 252 cienkich przewodów. Połączenia z zewnętrznymi przyrządami pomiLaboratorium Elektroniki cz I 9 254D2. PARAMETRY WYBRANYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DIODY 1. DLaboratorium Elektroniki cz I 2 260 BF 519, n-p-n, Si, epiplanarny, w.cz., średnia moc Parametr Laboratorium Elektroniki cz I 3 262 TYRYSTORY BTP 2/50 Parametry podstawowe Uorm V powtarzalneLaboratorium Elektroniki cz I 6 268Oscyloskop COS 2020 1. czułość: - 21428 Laboratorium Elektroniki cz I 1 178 Po skokowej zmianie napięcia polaryzującego diodę w kier22876 Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.66917 Laboratorium Elektroniki cz I 1 238 Pobór mocy Prądy pobierane z obydwu źródeł zasilających 70100 Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f aN)78808 Laboratorium Elektroniki cz I 5 6 wie przeprowadzonych badań oraz właściwe przygotowanie rap41332 Laboratorium Elektroniki cz I 1 18 przyrządów pomiarowych, błędy metody pomiarowej, oddziały47156 Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUqS I < |UP I, I Uds I > lUDsatWybierz strone: [
11 ] [
13 ]
