Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz II 7
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Laboratorium Elektroniki cz I 0 56 Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 4TRANZYSTOR POLOWY TYPU PN FET4.1. Cel ćwiczenia Celem ć
Laboratorium Elektroniki cz I 4 84 w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uos ze znakiem -
Laboratorium Elektroniki cz I 7 90 2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 0 5. Sprawność energetyczna ą. - parametr charakteryzujący sprawność
Laboratorium Elektroniki cz I 7 1306.3.    Tematy sprawdzające 1.    
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys. 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk staty
Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - te
Laboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propo
Laboratorium Elektroniki cz I 4 144 7.2.4. Złącze p-n Wykonane w materiale półprzewodnikowym złącz
Laboratorium Elektroniki cz I 6 148 nośników. W związku z tym wyrażenie na temperaturowy współczyn
Laboratorium Elektroniki cz I 7 150 1 (7.22) gdzie: Uz(To) " naPięcie stabilizacji w temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat

Wybierz strone: [ 12 ] [ 14 ]