Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 9
Laboratorium Elektroniki cz I
8 32 32 (1.8) gdzie: Rs - rezystancja obszarów obojętnych i doprowad
Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz (p) -
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się silnie domies
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 6 48 -    Oś prądowa naszej charakterystyki odpowiada
Laboratorium Elektroniki cz I 8 52 zystor zawsze działa jednakowo, niezależnie od układu włączenia
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE — <Pt I11 _ Ib + lcs(l~oti) + 1Es(1~ctN) (3.1) •esO ~ a
Laboratorium Elektroniki cz I 6 68 68 [mA] n-p-n , Ja
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 0 3.    Przedstawić i omówić charakterystyki statyczn
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 CC Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi i UBEsai3
Laboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 4TRANZYSTOR POLOWY TYPU PN FET4.1. Cel ćwiczenia Celem ć

Wybierz strone: [ 13 ] [ 15 ]