Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 3
Laboratorium Elektroniki cz I
1 18 przyrządów pomiarowych, błędy metody pomiarowej, oddziaływania
Laboratorium Elektroniki cz I
2 20 Należy zwrócić uwagę, że w tym przypadku wartość błędu zależy o
Laboratorium Elektroniki cz I
4 24 3.    Skale na osiach współrzędnych powinny być
Laboratorium Elektroniki cz I
5 powered byMi siolIII. PROGRAMY I INSTRUKCJE DO ĆWICZEŃ Ćwiczenie 1
Laboratorium Elektroniki cz I
6 28 28 (1.1) będące wyrażeniem łączącym natężenie prądu I płynącego
Laboratorium Elektroniki cz I
7 30 Rys. 1.2 Charakterystyki prądowo-napięciowe diod wykonanych z g
Laboratorium Elektroniki cz I
8 32 32 (1.8) gdzie: Rs - rezystancja obszarów obojętnych i doprowad
Laboratorium Elektroniki cz I
9 34 1.    parametry charakterystyczne - są to optyma
Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz (p) -
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 6 48 -    Oś prądowa naszej charakterystyki odpowiada
Laboratorium Elektroniki cz I 8 52 zystor zawsze działa jednakowo, niezależnie od układu włączenia
Laboratorium Elektroniki cz I 9 54 2.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Char
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE — <Pt I11 _ Ib + lcs(l~oti) + 1Es(1~ctN) (3.1) •esO ~ a

Wybierz strone: [ 13 ] [ 15 ]