Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz II 2
Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - te
Laboratorium Elektroniki cz I 4 144 7.2.4. Złącze p-n Wykonane w materiale półprzewodnikowym złącz
Laboratorium Elektroniki cz I 6 148 nośników. W związku z tym wyrażenie na temperaturowy współczyn
Laboratorium Elektroniki cz I 7 150 1 (7.22) gdzie: Uz(To) " naPięcie stabilizacji w temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 4 Charakterystyki anodowe zależą od temperatury. Przy wzroście tempe
Laboratorium Elektroniki cz I 5 166 anodowy, a następnie po kilku ns załączymy go ponownie, to, je
Laboratorium Elektroniki cz I 6 168 BYP660 51 fi, Rys. 8.7. Źródła impulsów prostokątnych w stanow
Laboratorium Elektroniki cz I 7 170c)    d) Rys. 8.12. Zasada wyznaczania charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystora
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie reg
Laboratorium Elektroniki cz I 7 190 190 lj *o Generator - 1kHz Zasilacz obwodu kolektora Rys.
Laboratorium Elektroniki cz I 9 Rys. 11.1. Układ wzmacniacza ze źródłem sygnału (Eg, Zg) i obciąże
Laboratorium Elektroniki cz I 0 196 W praktyce najszersze zastosowanie ma układ OE, przede wszystk
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skuteczne przy stos
Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 O Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektoro
Laboratorium Elektroniki cz I 9 214 2.    Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i ki
Laboratorium Elektroniki cz I 1 21811.7. Literatura 1.    T. Zagajewski: Układy ele
Laboratorium Elektroniki cz I 3 222 r    r9

Wybierz strone: [ 14 ] [ 16 ]