Wyniki wyszukiwana dla hasla Elektronika W Zad cz 2 3
Laboratorium Elektroniki cz I 8 32 fu-i iO exp "I m cpT J (1.8) gdzie: Rs - rezysta
Laboratorium Elektroniki cz I 9 34 1. parametry charakterystyczne - są to optyma
Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz ((3) -
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 6 48 - Oś prądowa naszej charakterystyki odpowiada
Laboratorium Elektroniki cz I 7 Ćwiczenie 2TRANZYSTOR BIPOLARNY (części) 2.1. Cel ćwiczenia Celem
Laboratorium Elektroniki cz I 8 52 zystor zawsze działa jednakowo, niezależnie od układu włączenia
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Laboratorium Elektroniki cz I 0 56 Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4. W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f aN) IesO
Laboratorium Elektroniki cz I 6 68 Rys. 3.2. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OE R
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Wybierz strone: [
15
] [
17
]