Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 3
Laboratorium Elektroniki cz I 8 T asm-*    ii nr X = (6.12) 113 A" ap _W_
Laboratorium Elektroniki cz I 9 114 114 •    Czułość na zmiany mocy strumienia świe
Laboratorium Elektroniki cz I 0 5. Sprawność energetyczna ą, - parametr charakteryzujący sprawność
Laboratorium Elektroniki cz I 1 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykonanych z CdS
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7 Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lFod natę
Laboratorium Elektroniki cz I 4 ijs2e    nai ra"i-    eCi Rys.
Laboratorium Elektroniki cz I 5 126 60    40    20  &
Laboratorium Elektroniki cz I 6 129 128 Parametry techniczne transoptora dzielą się na trzy grupy:
Laboratorium Elektroniki cz I 7 1306.3. Tematy sprawdzające 1.    Przedstawić i wyj
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk statyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 134 Rys. 6.21. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk wyjśc
Laboratorium Elektroniki cz I 0 1366.7. Literatura 1.    J. Cieślak: Półprzewodniko
Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - te
Laboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propo
Laboratorium Elektroniki cz I 4 Wykonane w materiale półprzewodnikowym złącze p-n jest wrażliwe na
Laboratorium Elektroniki cz I 5 146 charakteryzowany za pomocą temperaturowego współczynnika wzglę
Laboratorium Elektroniki cz I 6 148 nośników. W związku z tym wyrażenie na temperaturowy współczyn
Laboratorium Elektroniki cz I 7 150 Pz =au, (7.22) UZ(T0) 9T Rys. 7.9. Zależność wartości temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 8 152 kres napięć stabilizacji rzędu 6 V - 8 V, co pokrywa się z min
Laboratorium Elektroniki cz I 0 156 •    W zakresie małych wartości prądu drenu to

Wybierz strone: [ 15 ] [ 17 ]