Wyniki wyszukiwana dla hasla Elektronika W Zad cz 2 3
Laboratorium Elektroniki cz I 0 76 3. Przedstawić i omówić charakterystyki staty
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 4TRANZYSTOR POLOWY TYPU PN FET4.1. Cel ćwiczenia Celem ć
Laboratorium Elektroniki cz I 4 84 w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uos ze znakiem -
Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.4. Doz
Laboratorium Elektroniki cz I 6 88 Przedstawione zależności obowiązują dla szpilkowego rozkładu ko
Laboratorium Elektroniki cz I 7 90 2. Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id
Laboratorium Elektroniki cz I 8 Ćwiczenie 5TRANZYSTOR POLOWY TYPU MIS5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwic
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 - kanał typu n - UDs > O, Ugs ^ 0. Ubs ^ O
Laboratorium Elektroniki cz I 0 96 co prowadzi do zmian rezystancji tego kanału. W efekcie zostaje
Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys. 5.2. Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanał
Laboratorium Elektroniki cz I 2 100 4. Napięcie przebicia dren-żródło UDss - nap
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7. Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem
Laboratorium Elektroniki cz I 5 Ćwiczenie 6PÓŁPRZEWODNIKOWE PRZYRZĄDY OPTOELEKTRONICZNE6.1. Cel ćw
Laboratorium Elektroniki cz I 6 108 Natężenie prądu fotoprzewodnictwa fotorezystora spolaryzowaneg
Laboratorium Elektroniki cz I 7 110 minimalna długość fali promieniowania świetlnego m , jaka może
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 9 114 114 auF ■ v‘ 3P .w. auF " V Im auF V 3E ix •
Laboratorium Elektroniki cz I 0 5. Sprawność energetyczna ą. - parametr charakteryzujący sprawność
Laboratorium Elektroniki cz I 1 s 118 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykonanych
Wybierz strone: [
16
] [
18
]