Wyniki wyszukiwana dla hasla Elektronika W Zad cz 2 4
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f aN) IesO
Laboratorium Elektroniki cz I 6 68 Rys. 3.2. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OE R
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Laboratorium Elektroniki cz I 0 76 3. Przedstawić i omówić charakterystyki staty
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 4TRANZYSTOR POLOWY TYPU PN FET4.1. Cel ćwiczenia Celem ć
Laboratorium Elektroniki cz I 3 82 3) stan nasycenia: IUqS I < |UP I, I Uds I > lUDsat I (in
Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.4. Doz
Laboratorium Elektroniki cz I 6 88 Przedstawione zależności obowiązują dla szpilkowego rozkładu ko
Laboratorium Elektroniki cz I 7 90 2. Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id
Laboratorium Elektroniki cz I 8 Ćwiczenie 5TRANZYSTOR POLOWY TYPU MIS5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwic
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 - kanał typu n - UDs > O, Ugs ^ 0. Ubs ^ O
Laboratorium Elektroniki cz I 0 96 co prowadzi do zmian rezystancji tego kanału. W efekcie zostaje
Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys. 5.2. Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanał
Laboratorium Elektroniki cz I 2 100 4. Napięcie przebicia dren-żródło UDss - nap
Laboratorium Elektroniki cz I 3 102 3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzow
Laboratorium Elektroniki cz I 5 Ćwiczenie 6PÓŁPRZEWODNIKOWE PRZYRZĄDY OPTOELEKTRONICZNE6.1. Cel ćw
Laboratorium Elektroniki cz I 6 108 Natężenie prądu fotoprzewodnictwa fotorezystora spolaryzowaneg
Wybierz strone: [
16
] [
18
]