Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I
8
Laboratorium Elektroniki cz I 7 170 171    | powered by Zmieniając wartość prądu br
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = f(lGT) dla dwóch różny
Laboratorium Elektroniki cz I 0 176 176 powered byMi siol8.6. Tematy do opracowania 1 Narysować wy
Laboratorium Elektroniki cz I 1 178 Po skokowej zmianie napięcia polaryzującego diodę w kierunku z
Laboratorium Elektroniki cz I 2 tra 181 iranzystora i parametrami zewnętrznego obwodu sterującego.
Laboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie reg
Laboratorium Elektroniki cz I 6 188 gdzie: Ui, U2 - składowe zmienne (amplitudy) napięć w obwodzie
Laboratorium Elektroniki cz I 7 190 190 - Generator r - 1kHz / 4T Zasilacz obwodu kolekto
Laboratorium Elektroniki cz I 9 194 Zg E9(, I U, oii > _ U2[Jzo Rys. 11.1. Układ wzmac
Laboratorium Elektroniki cz I 0 196 W praktyce najszersze zastosowanie ma układ OE, przede wszystk
Laboratorium Elektroniki cz I 1 198 Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystanc
Laboratorium Elektroniki cz I 2 200 Przy optymalnym, ze względu na zniekształcenia, doborze punktu
Laboratorium Elektroniki cz I 3 202 b) Rys. 11.5 Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiter
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 204 rr,a|ych Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skutec
Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 w PMany na Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem
Laboratorium Elektroniki cz I 6 208 Wzmocnienie prądowe Ku W przypadku wzmocnienia prądowego wpływ
Laboratorium Elektroniki cz I 7 210 stego wzmocnienia wzmacniacza w praktyce najczęściej podaje si
Laboratorium Elektroniki cz I 9 214 2.    Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i k|
Laboratorium Elektroniki cz I 0 216 2.    Zmierzyć charakterystykę amplitudową Ku =
Laboratorium Elektroniki cz I 1 218 11.7. Literatura 1.    T. Zagajewski: Układy el

Wybierz strone: [ 16 ] [ 18 ]