Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 3 Laboratorium Elektroniki cz I 1 158 158 159 7.7. Literatura 3. Określenie wpływu temperatury na włLaboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 8BADANIE TYRYSTORA8.1. Cel ćwiczenia CLaboratorium Elektroniki cz I 4 164 164 Rys. 8.4. Charakterystyka bramkowa tyrystora (a) i schematLaboratorium Elektroniki cz I 5 166 anodowy, a następnie po kilku ns załączymy go ponownie, to, jeLaboratorium Elektroniki cz I 6 168BYP660 51ft Rys 8.7 Źródła impulsów prostokątnych w stanowisku Laboratorium Elektroniki cz I 7 170 171 | powered by Zmieniając wartość prądu brLaboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd lGT i zwiększyć prąd tyrystoraLaboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = f(lGT) dla dwóch różnyLaboratorium Elektroniki cz I 0 176 176 powered byMi siol8.6. Tematy do opracowania 1 Narysować wyLaboratorium Elektroniki cz I 1 178 Po skokowej zmianie napięcia polaryzującego diodę w kierunku zLaboratorium Elektroniki cz I 2 tra 181 iranzystora i parametrami zewnętrznego obwodu sterującego.Laboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie regLaboratorium Elektroniki cz I 6 188 gdzie: Ui, U2 - składowe zmienne (amplitudy) napięć w obwodzieLaboratorium Elektroniki cz I 7 190 190 - Generator r - 1kHz / 4T Zasilacz obwodu kolektoLaboratorium Elektroniki cz I 8 19 Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epilLaboratorium Elektroniki cz I 9 194 Zg E9(, I U, oii > _ U2[Jzo Rys. 11.1. Układ wzmacLaboratorium Elektroniki cz I 0 196 W praktyce najszersze zastosowanie ma układ OE, przede wszystkLaboratorium Elektroniki cz I 1 198 Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystancLaboratorium Elektroniki cz I 2 200 Przy optymalnym, ze względu na zniekształcenia, doborze punktuLaboratorium Elektroniki cz I 4 204 204 rr,a|ych Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skutecWybierz strone: [
16 ] [
18 ]
