Wyniki wyszukiwana dla hasla 58
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f    aN) IesO
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.4. Doz
Laboratorium Elektroniki cz I 8 Ćwiczenie 5TRANZYSTOR POLOWY TYPU MIS5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwic
Laboratorium Elektroniki cz I 5 Ćwiczenie 6PÓŁPRZEWODNIKOWE PRZYRZĄDY OPTOELEKTRONICZNE6.1. Cel ćw
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 5 126 30°
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys. 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk staty
Laboratorium Elektroniki cz I 5 146 charakteryzowany za pomocą temperaturowego współczynnika wzglę
Laboratorium Elektroniki cz I 8 152 kres napięć stabilizacji rzędu 6 V - 8 V, co pokrywa się z min
Laboratorium Elektroniki cz I 5 166 anodowy, a następnie po kilku ns załączymy go ponownie, to, je
Laboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystora
Laboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie reg
Laboratorium Elektroniki cz I 8 19Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epila
Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 O Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektoro
Laboratorium Elektroniki cz I 8 212 gdzie: R = RQ + (Ri II R2 II ^we)i Rwe = hue + h2ieZE ~ hne dl
Laboratorium Elektroniki cz I 5 4. Wzmocnienie wspólne niesymetryczne k _ uci - UC2 _ h21e us U U
Laboratorium Elektroniki cz I 8 232 w punkcie 1, dobierając na podstawie uzyskanych tam wyników op
Laboratorium Elektroniki cz I 5 246 Dla klucza K otwartego mamy: U 0 = KuUj 246 Dla klucza K zwart
Laboratorium Elektroniki cz I 8 252 cienkich przewodów. Połączenia z zewnętrznymi przyrządami pomi

Wybierz strone: [ 17 ] [ 19 ]