Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz II 0
Laboratorium Elektroniki cz I
6 28 28 (1.1) będące wyrażeniem łączącym natężenie prądu I płynącego
Laboratorium Elektroniki cz I
7 30 Rys. 1.2 Charakterystyki prądowo-napięciowe diod wykonanych z g
Laboratorium Elektroniki cz I
8 32 32 (1.8) gdzie: Rs - rezystancja obszarów obojętnych i doprowad
Laboratorium Elektroniki cz I
9 34 1.    parametry charakterystyczne - są to optyma
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz (p) -
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się silnie domies
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 6 48 -    Oś prądowa naszej charakterystyki odpowiada
Laboratorium Elektroniki cz I 8 52 zystor zawsze działa jednakowo, niezależnie od układu włączenia
Laboratorium Elektroniki cz I 9 54 2.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Char
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 3 622.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakterystyk statycznych
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE — <Pt I11 _ Ib + lcs(l~oti) + 1Es(1~ctN) (3.1) •esO ~ a
Laboratorium Elektroniki cz I 6 68 68 [mA] n-p-n , Ja
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow

Wybierz strone: [ 17 ] [ 19 ]