Wyniki wyszukiwana dla hasla Elektronika W Zad cz 2 2
Laboratorium Elektroniki cz I 6 88 Przedstawione zależności obowiązują dla szpilkowego rozkładu ko
Laboratorium Elektroniki cz I 7 90 2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id
Laboratorium Elektroniki cz I 8 Ćwiczenie 5TRANZYSTOR POLOWY TYPU MIS5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwic
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 -    kanał typu n - UDs > O, Ugs ^ 0. Ubs ^ O
Laboratorium Elektroniki cz I 0 96 co prowadzi do zmian rezystancji tego kanału. W efekcie zostaje
Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys. 5.2. Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanał
Laboratorium Elektroniki cz I 3 102 3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzow
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem
Laboratorium Elektroniki cz I 5 Ćwiczenie 6PÓŁPRZEWODNIKOWE PRZYRZĄDY OPTOELEKTRONICZNE6.1. Cel ćw
Laboratorium Elektroniki cz I 6 108 Natężenie prądu fotoprzewodnictwa fotorezystora spolaryzowaneg
Laboratorium Elektroniki cz I 7 110 minimalna długość fali promieniowania świetlnego m , jaka może
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 9 114 114 auF ■ v‘ 3P .w. auF " V Im auF V 3E ix •
Laboratorium Elektroniki cz I 0 5. Sprawność energetyczna ą. - parametr charakteryzujący sprawność
Laboratorium Elektroniki cz I 1 s 118 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykonanych
Laboratorium Elektroniki cz I 3 122 • sprawność ą zawierająca się w granicach od 3 do 15% (6.21) g
Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy przełącz
Laboratorium Elektroniki cz I 5 126 30°
Laboratorium Elektroniki cz I 6 128 Parametry techniczne transoptora dzielą się na trzy grupy: par
Laboratorium Elektroniki cz I 7 1306.3.    Tematy sprawdzające 1.    

Wybierz strone: [ 19 ] [ 21 ]