Wyniki wyszukiwana dla hasla tranzystor 1
Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.4. Doz
Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys. 5.2. Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanał
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7. Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 1 158 3. Określenie wpływu temperatury na właściwości tranzystorów b
Laboratorium Elektroniki cz I 4 184 6. Czy wartości czasów przełączeń diod i tra
Laboratorium Elektroniki cz I 8 19Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epila
Laboratorium Elektroniki cz I 2 200 Przy optymalnym, ze względu na zniekształcenia, doborze punktu
Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 O Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektoro
Laboratorium Elektroniki cz I 6 228 Ponieważ napięcie to sumuje się z napięciem na rezystorze Rc t
Slajd14 (121) Charakterystyki tranzystora potowego Na rysunku a) przedstawiona jest c h arak te ry s
Slajd19 (110) Technologie fizyczne doszły do tranzystorów O
Slajd6 (112) Tranzystory połowę Tranzystory połowę tak jak i tranzystory bipolarne są elementami pół
Slajd7 (110) Na rysunku przedstawione są dwa przykładowe symbole graficzne tranzystorów polowych. Na
Slajd9 (112) Każdy rodzaj tranzystora potowego dzieli sie dodatkowo na tranzystor z kanałemn typu n
Image557 gdzie: Us — spadek napięcia na diodzie, U cm — napięcie tranzystora wyjściowego w stanie
Image573 Rys. 4.757. Schematy ideowe układów wysterowania tranzystorów krzemowych n-p-n ze standardo
Image574 Układ 75450 (rys. 4.762) zawiera dwie bramki I-NIE (NAND) i dwa niezależne tranzystory n-p-
Image575 dostępowi do wszystkich końcówek tranzystorów, rozpatrywany układ charakteryzuje się dużą
Image579 sterującego żarówką. Przy napięciu o wartości 0,6 V na rezystorze R nastąpi przewodzenie tr
Wybierz strone: [
2
] [
4
]
