Wyniki wyszukiwana dla hasla Elektronika W Zad cz 2
3
skanuj0061(1) §. Wykazać, ż| pole elektryczne wewnątrz wnęki §eff jednorodne. Zad. 5 laaji^l WMąfafe
Laboratorium Elektroniki cz I 1 Ipowered byMi siol SKRYPTY UCZELNIANE Nr 2177 PRACA ZBIOROWA POD R
Laboratorium Elektroniki cz I 2 powered byMi siol OPINIODAWCA Prof. dr inż. Tadeusz Zagajewski KOL
Laboratorium Elektroniki cz I 4 4 DODATKI Dodatek 1: Opis testera przyrządów półprzewodnikowych...
Laboratorium Elektroniki cz I 6 8 k    - stała Boltzmanna (1,38-10 23 J/K) kT  
Laboratorium Elektroniki cz I 8 12 ranny; pod koniec zajęć protokół powinien być parafowany przez
Laboratorium Elektroniki cz I 9 14 -    po realizacji programu pomiarów należy prze
Laboratorium Elektroniki cz I
6 28    ^ u n exp -1l<Pr j(1.1) będące wyrażenie
Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4.    Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Laboratorium Elektroniki cz I 0 56 Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 4TRANZYSTOR POLOWY TYPU PN FET4.1. Cel ćwiczenia Celem ć
Laboratorium Elektroniki cz I 4 84 w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uos ze znakiem -

Wybierz strone: [ 22 ] [ 24 ]