Wyniki wyszukiwana dla hasla Elektronika W Zad cz 2 4
Laboratorium Elektroniki cz I 9 14 - po realizacji programu pomiarów należy prze
Laboratorium Elektroniki cz I 6 28 ^ u n exp -1l<Pr j(1.1) będące wyrażenie
Laboratorium Elektroniki cz I 0 36 z germanu (tylko dla zastosowań, gdzie ważna jest mała wartość
Laboratorium Elektroniki cz I 1 381.2.6. Diody impulsowe (przełącznikowe) Diodami impulsowymi nazy
Laboratorium Elektroniki cz I 3 42 42 I500- Przy konstrukcji diod tunelowych wykorzystuje się siln
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4. Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Laboratorium Elektroniki cz I 0 56 Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (
Laboratorium Elektroniki cz I 1 58 strukcji tranzystora, a podawana zwykle jako wartość średnia wy
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 2 Ćwiczenie 4TRANZYSTOR POLOWY TYPU PN FET4.1. Cel ćwiczenia Celem ć
Laboratorium Elektroniki cz I 7 90 2. Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 0 5. Sprawność energetyczna ą. - parametr charakteryzujący sprawność
Laboratorium Elektroniki cz I 7 1306.3. Tematy sprawdzające 1.  
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys. 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk staty
Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - te
Wybierz strone: [
22
] [
24
]