Wyniki wyszukiwana dla hasla Laboratorium Elektroniki cz I 4
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Laboratorium Elektroniki cz I 5 86 86 Pmax Uds 08SZAR ODCIĘCIA U0smax mzmzpzzzzzzzm. Rys. 4.4. Doz
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 -    kanał typu n - UDs > O, Ugs ^ 0. Ubs ^ O
Laboratorium Elektroniki cz I 0 96 co prowadzi do zmian rezystancji tego kanału. W efekcie zostaje
Laboratorium Elektroniki cz I 6 108 Natężenie prądu fotoprzewodnictwa fotorezystora spolaryzowaneg
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 6 128 Parametry techniczne transoptora dzielą się na trzy grupy: par
Laboratorium Elektroniki cz I 1 138 gdzie: A - stała materiałowa niezależna od temperatury, T - te
Laboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propo
Laboratorium Elektroniki cz I 3 142 ratury rośnie energia kinetyczna nośników, a więc maleje czas
Laboratorium Elektroniki cz I 7 150 1 (7.22) gdzie: Uz(To) " naPięcie stabilizacji w temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 3 IOZ Warto zauważyć, że cxi rośnie ze wzrostem prądu anodowego lA,
Laboratorium Elektroniki cz I 7 170c)    d) Rys. 8.12. Zasada wyznaczania charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystora
Laboratorium Elektroniki cz I 3 182 Istnienie skończonego czasu narastania tr wynika z opóźniające
Laboratorium Elektroniki cz I 8 19Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epila
Laboratorium Elektroniki cz I 6 208 Wzmocnienie prądowe K,t W przypadku wzmocnienia prądowego wpły
Laboratorium Elektroniki cz I 7 210 stego wzmocnienia wzmacniacza w praktyce najczęściej podaje si

Wybierz strone: [ 22 ] [ 24 ]